Archive

Volume 6, Issue 4, Apr 1985

• CONTENTS

  半导体超晶格-绝缘介质-半导体超晶格夹层结构中的表面电子集体激发谱

  秦国毅

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 339
  

  采用半导体器件的高压纳秒脉冲电路

  李锦林, 周旋, 鲍秉乾

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 350
  

  非晶态砷化镓薄膜的研制

  吴汝麟, 陈坤基, 杨左娅

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 355
  

  GaAs和Si的电子亲合势和功函数的比较研究

  邢益荣, W.Ranke

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 362
  

  双极型晶体管交流模型参数的优化提取

  夏武颖, 郑颖

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 369
  

  Si(100)面的红宝石激光辐照氧化问题

  许振嘉, 陈维德

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 379
  

  LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系

  杨锡权, 向贤碧, 吴让元

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 386
  

  双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析

  王守武, 何乃明, 夏永伟

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 393
  

  离子注入型蓝光灵敏的光电探测器

  孙宝寅, 刘玉兰, 李文年, 江剑平, 王振明

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 406
  

  外延GaAs平面Hall器件

  郑一阳, 张进昌, 刘衍

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 413
  

  GD类多晶硅薄膜的电导特性

  何宇亮, 邵达, 马晓娟

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 420
  

  反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究

  傅新定, 陈国明, 任琮欣, 郑廷芳, 陈莉芝, 方红丽, 杨洁

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 423
  

  InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究

  江若琏, 徐俊明, 刘青淮, 王凯, 郑有炓

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 429
  

  半绝缘砷化镓材料的铍离子注入

  周勉, 史常忻

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 433
  

  原子氢钝化硅中与铜有关的缺陷

  王忠安, 陈开茅, 秦国刚

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 437
  

  分段压缩平面共腔条形激光器的进展

  杜国同, 杨德林, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 442
  

  掺杂超晶格——Si-nipi结构中的电子态

  王恩哥, 黄和鸾

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 446
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved