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Volume 6, Issue 4, Apr 1985
Table of Content
CONTENTS
半导体超晶格-绝缘介质-半导体超晶格夹层结构中的表面电子集体激发谱
秦国毅
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 339-349
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采用半导体器件的高压纳秒脉冲电路
李锦林, 周旋, 鲍秉乾
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 350-354
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非晶态砷化镓薄膜的研制
吴汝麟, 陈坤基, 杨左娅
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 355-361
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GaAs和Si的电子亲合势和功函数的比较研究
邢益荣, W.Ranke
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 362-368
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双极型晶体管交流模型参数的优化提取
夏武颖, 郑颖
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 369-378
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Si(100)面的红宝石激光辐照氧化问题
许振嘉, 陈维德
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 379-385
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LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系
杨锡权, 向贤碧, 吴让元
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 386-392
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双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析
王守武, 何乃明, 夏永伟
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 393-405
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离子注入型蓝光灵敏的光电探测器
孙宝寅, 刘玉兰, 李文年, 江剑平, 王振明
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 406-412
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外延GaAs平面Hall器件
郑一阳, 张进昌, 刘衍
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 413-419
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GD类多晶硅薄膜的电导特性
何宇亮, 邵达, 马晓娟
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 420-422
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反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究
傅新定, 陈国明, 任琮欣, 郑廷芳, 陈莉芝, 方红丽, 杨洁
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 423-428
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InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究
江若琏, 徐俊明, 刘青淮, 王凯, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 429-432
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半绝缘砷化镓材料的铍离子注入
周勉, 史常忻
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 433-436
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原子氢钝化硅中与铜有关的缺陷
王忠安, 陈开茅, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 437-441
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分段压缩平面共腔条形激光器的进展
杜国同, 杨德林, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 442-445
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掺杂超晶格——Si-nipi结构中的电子态
王恩哥, 黄和鸾
Chin. J. Semicond.  1985, 6(4): 446-450
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