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Volume 6, Issue 5, May 1985

• CONTENTS

  硅及硅化钽超精细结构的刻蚀

  李建中, I.Adesida, E.D.Wolf

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 451
  

  MOS界面态电荷瞬态谱方法

  郑心畬, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 458
  

  GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场的计算分析

  郑一阳

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 469
  

  GaAs体效应器件中阴极深凹槽引起的静止畴的实验研究

  郑一阳

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 475
  

  珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响

  柳承恩

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 481
  

  FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析

  朱钧, 靳东明, 熊大菁, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 487
  

  中子辐照p型硅中的空穴陷阱和与氢有关的深能级中心

  杜永昌, 张玉峰, 孟祥提

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 495
  

  红外瞬态退火全离子注入MOS工艺的研究

  侯东彦, 马腾阁, 陈必贤, 钱佩信

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 503
  

  H_2O在Si(100)-(2×1)表面上的吸附和氧化

  邢益荣, W.Ranke

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 511
  

  无定形锗硅合金的光电特性

  李长健, 徐温元

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 518
  

  Al在InP(110)面上的吸附

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 523
  

  用喇曼光谱测注硼硅片的损伤分布

  吴华生, 劳浦东, 邬建根, 屈逢源

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 528
  

  半导体四层漏光波导的分析Ⅱ:强耦合近似与精确解

  张敬明

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 536
  

  非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法

  连建宇, 廖显伯, 郑秉茹, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 545
  

  分子束外延GaAs中的Sn受主态

  忻尚衡, L.F.Eastman

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 552
  

  不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心

  王健强, 吴孝慎, 李名复, 林耀望

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 556
  

  离子注入抗蚀技术

  韩阶平, 王培大, 马俊如, 王守武

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 561
  

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