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Volume 6, Issue 6, Jun 1985

• CONTENTS

  强磁场下n型InSb杂质带及其电导的理论

  黄敏, 韩汝琦, 甘子钊

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 563
  

  Gilbert乘法器的三次非线性误差

  易明銧, 李青松

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 576
  

  高剂量低能氧离子注入硅形成SiO_2薄膜的研究

  王勇, 李维中, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 584
  

  双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为

  王守武, 王仲明

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 590
  

  CMOS门阵列的一种布线方法

  张钦海, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 602
  

  双极型功率晶体管的温度分布和直流安全工作区

  曾庆明

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 611
  

  脉冲激光诱导扩散的计算机模拟

  刘焜, 谢宗钧, 黄乐斌

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 620
  

  Sigmund元素溅射率公式的修正

  陈国樑

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 627
  

  Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

  汪兆平, 韩和相, 赵学恕, 李国华, 涂相征

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 634
  

  高浓度注砷和注锑硅的连续氩离子激光退火研究

  钱佩信, 林惠旺, 陆永枫, 李冬梅

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 641
  

  电子俘获对φb和热电子流的影响

  李肇基

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 648
  

  氢化非晶硅液相激光结晶

  鲍希茂, 杨敏

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 655
  

  利用I-V特性确定Schottky势垒中的准费米能级

  葛惟锟

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 658
  

  大光腔分段压缩-平面复合腔激光器

  杜国同, 高鼎三, 杨德林

  Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 661
  

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