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Volume 7, Issue 3, Mar 1986
Table of Content
CONTENTS
GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子
张权生, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 227-236
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短栅GaAs MESFET中电子饱和速度
杨悦非, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 237-241
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用二次函数分段插值法计算扩展电阻修正因子
舒畅, 包宗明
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 242-247
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α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究
沈清, 林理彬
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 248-253
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LPE n-GaAlAs:Te中DX中心的导纳谱分析
葛惟锟, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 254-263
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MOS电容微分量的频率特性——确定Si/SiO_2界面态密度分布及俘获截面的一种新方法
许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 264-274
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采用统计试验法分段优化提取双极型晶体管GP直流模型参数
张力, 夏武颖
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 275-283
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LSIS-II布图设计系统中的联接关系正确性验证子系统
高春华, 庄文君
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 284-291
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有向和无向混合图通道布线算法
周电, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 292-297
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在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下测量深中心分布的理论与实践
陈开茅, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 298-307
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电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法
陈开茅, 钱思敏, 兰李桥
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 308-313
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GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析
周勉, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 314-318
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200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性
徐仲英, 许继宗, 李玉璋, 郑宝真, 徐俊英, 庄蔚华, 陈宗圭
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 319-323
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1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
赵嵩山, 王德超, 吴友宇, 王玉章
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 324-326
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溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶
朱蔚雯, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 327-330
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两种新型的非晶半导体多层结构
陈治明, 王建农, 梅向阳, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 331-333
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中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰
祁明维, 施天生, 白国仁, 谢雷鸣, 蔡培新, 高集金, 李石岭
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 334-336
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1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器
王圩, 张静媛, 田慧良, 汪孝杰
Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 337-340
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