GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子
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MOS电容微分量的频率特性——确定Si/SiO_2界面态密度分布及俘获截面的一种新方法
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在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下测量深中心分布的理论与实践
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200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性
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溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶
Chin. J. Semicond. 1986, 7(3): 327
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1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器
Chin. J. Semicond. 1986, 7(3): 337