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Volume 7, Issue 3, Mar 1986

• CONTENTS

  GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子

  张权生, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 227
  

  短栅GaAs MESFET中电子饱和速度

  杨悦非, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 237
  

  用二次函数分段插值法计算扩展电阻修正因子

  舒畅, 包宗明

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 242
  

  α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

  沈清, 林理彬

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 248
  

  LPE n-GaAlAs:Te中DX中心的导纳谱分析

  葛惟锟, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 254
  

  MOS电容微分量的频率特性——确定Si/SiO_2界面态密度分布及俘获截面的一种新方法

  许铭真, 谭长华

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 264
  

  采用统计试验法分段优化提取双极型晶体管GP直流模型参数

  张力, 夏武颖

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 275
  

  LSIS-II布图设计系统中的联接关系正确性验证子系统

  高春华, 庄文君

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 284
  

  有向和无向混合图通道布线算法

  周电, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 292
  

  在多数载流子对边区作非饱和填充的条件下测量深中心分布的理论与实践

  陈开茅, 秦国刚

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 298
  

  电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法

  陈开茅, 钱思敏, 兰李桥

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 308
  

  GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

  周勉, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 314
  

  200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性

  徐仲英, 许继宗, 李玉璋, 郑宝真, 徐俊英, 庄蔚华, 陈宗圭

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 319
  

  1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

  赵嵩山, 王德超, 吴友宇, 王玉章

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 324
  

  溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶

  朱蔚雯, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 327
  

  两种新型的非晶半导体多层结构

  陈治明, 王建农, 梅向阳, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 331
  

  中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰

  祁明维, 施天生, 白国仁, 谢雷鸣, 蔡培新, 高集金, 李石岭

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 334
  

  1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器

  王圩, 张静媛, 田慧良, 汪孝杰

  Chin. J. Semicond.  1986, 7(3): 337
  

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