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Volume 7, Issue 4, Apr 1986
CONTENTS
LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷
何晖, 褚一鸣, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 341-345
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肖特基二极管导纳的研究及其在能级测量中的应用
高小平, 周洁, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 346-356
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重审运动学低能电子衍射方法和Si(001)2×1结构
赵汝光, 杨威生
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 357-362
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n-Si低剂量B~+、P~+离子注入产生的缺陷及其退火特性
陈建新, 李名复, 李言谨
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 363-373
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CVD BPSG膜的沉积及其回流机理
曾天亮, 江志庚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 374-379
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用计入相干势近似修正的LCAO方法计算合金的能隙变化
陆奋
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 380-386
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Si:Cr中的E能级的计算
王永良
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 387-396
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质子注入直拉硅中缺陷的研究
李灿国, 姚秀琛, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 397-406
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氧在GaP(-1-1-1)表面上的吸附特性
邢益荣, W.Ranke
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 407-411
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LSIS-II自动布图系统中的布局子系统
程可行, 庄文君
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 412-418
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B样条函数器件插值模型在电路模拟程序SPICE中的应用
严志新, 王碧娟, 姚林声
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 419-426
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由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命的深度分布
张秀淼
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 427-432
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氧在a-GaAs(:H)表面吸附的光电子谱研究
汪兆平
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 433-436
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氢气区熔硅单晶中的新红外吸收谱峰
轩振国, 张美蓉, 游志朴
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 437-440
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光电化学法测量N型半导体材料扩散长度
邵永富, 陈自姚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 441-445
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多晶硅膜的高压氧化
张爱珍, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 446-449
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GaAs- Al_xGa_(1-x)As DH发光管的压力调频研究
赵学恕, 李国华, 汪兆平, 韩和相, 石志文, 王丽君, 唐汝明
Chin. J. Semicond.  1986, 7(4): 450-452
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