Previous Issue
|
Next Issue
Issue Browser
Volume 8, Issue 1, Jan 1987
Table of Content
CONTENTS
超晶格中空穴子带的理论
汤蕙, 黄昆
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 1-10
Abstract PDF

离化吉布斯自由能是远比离化焓为好的表征深能级在禁带中位置的参量
陈开茅, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 11-19
Abstract PDF

无定形硅锡合金薄膜特性的研究
李长健, 殷永柏, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 20-25
Abstract PDF

MCZ技术的研究
周士仁, 纪彦蜀, 孔庆茂, 高元恺, 王守雨, 韩长林, 傅择国
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 26-32
Abstract PDF

GaAs中碳局域模振动红外吸收的温度依赖关系
江德生, 宋春英, 郑捷飞, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 33-42
Abstract PDF

氧化铁气体传感器研究I.r-Fe_2O_3微粒制备及其气敏特性
王弘, 曾桓兴, 沈瑜生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 43-48
Abstract PDF

能带结构对InGaAsP半导体光增益谱的影响
郭长志, 黄永箴
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 49-60
Abstract PDF

硅悬键表面态的晶向关系——光电子发射研究
邢益荣
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 61-66
Abstract PDF

Si:Pd深能级的Xα-SW研究
唐九耀, 唐景昌, 黄绮, 冯克安, 吴汲安
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 67-75
Abstract PDF

非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管的几何结构及性能
逄永秀, 王德宁, 龚连根, 吴冠群, 潘慧珍, 吴陈周
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 76-83
Abstract PDF

GaAs MESFET电子辐照效应的研究
吴凤美, 赖启基, 徐岭, 龚邦瑞
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 84-89
Abstract PDF

MBE GaAs/AlAs多量子阱结构的光致发光谱
庄蔚华, 滕达, 徐仲英, 许继宗, 陈宗圭
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 90-93
Abstract PDF

a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备及其性质
王志超, 刘湘娜, 何宇亮, 吴汝麟
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 94-98
Abstract PDF

一种GaAs快速光电导开关
李锦林, 梁东明, 张进昌
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 99-101
Abstract PDF

平面型器件欧姆接触的衡量——圆形传输线模型外推法
陈存礼, 徐世晖
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 102-108
Abstract PDF

过渡金属Ni,Pd,Pt硅化物/Si(111)界面的电子态
徐永年
Chin. J. Semicond.  1987, 8(1): 109-112
Abstract PDF

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2