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Volume 8, Issue 2, Feb 1987

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关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究

王守武, 王仲明, 马国荣

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 113-121

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 113.

王守武, 王仲明, 马国荣. 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 113..Export: BibTex EndNote

王守武, 王仲明, 马国荣. 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 113...

异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响

郭长志, 黄永箴

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 122-129

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 122.

郭长志, 黄永箴. 异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 122..Export: BibTex EndNote

郭长志, 黄永箴. 异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 122...

单边突变p~+n结的非耗尽分析

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 130-136

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 130.

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩. 单边突变p~+n结的非耗尽分析[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 130..Export: BibTex EndNote

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩. 单边突变p~+n结的非耗尽分析[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 130...

a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算

林璇英, 杨大同, 奚中和

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 137-144

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 137.

林璇英, 杨大同, 奚中和. a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 137..Export: BibTex EndNote

林璇英, 杨大同, 奚中和. a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 137...

MISIS结构的电特性和C(V)研究

陈晖, 张继盛, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 145-151

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 145.

陈晖, 张继盛, 李志坚. MISIS结构的电特性和C(V)研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 145..Export: BibTex EndNote

陈晖, 张继盛, 李志坚. MISIS结构的电特性和C(V)研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 145...

新的双层介质的InP MIS结构

汪正孝

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 152-159

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 152.

汪正孝. 新的双层介质的InP MIS结构[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 152..Export: BibTex EndNote

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离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型

汤庭鳌, Carlos Araujo

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 160-166

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 160.

汤庭鳌, C Araujo. 离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 160..Export: BibTex EndNote

汤庭鳌, C Araujo. 离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 160...

连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

江炳尧, 张祖华, 周祖尧, 杨根庆, 邹世昌

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 167-174

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 167.

江炳尧, 张祖华, 周祖尧, 杨根庆, 邹世昌. 连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 167..Export: BibTex EndNote

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关于一维晶体的表面态问题

庞小峰

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 175-181

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 175.

庞小峰. 关于一维晶体的表面态问题[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 175..Export: BibTex EndNote

庞小峰. 关于一维晶体的表面态问题[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 175...

非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究

李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 182-185

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 182.

李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英. 非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 182..Export: BibTex EndNote

李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英. 非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 182...

重掺杂高补偿锗的电导和磁阻

李国华, 傅绮英, 吕红, 王大为

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 186-189

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 186.

李国华, 傅绮英, 吕红, 王大为. 重掺杂高补偿锗的电导和磁阻[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 186..Export: BibTex EndNote

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P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化

王立军, 张青月

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 190-192

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 190.

王立军, 张青月. P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 190..Export: BibTex EndNote

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InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据

侯晓远, 俞鸣人, 王迅

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 193-195

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 193.

侯晓远, 俞鸣人, 王迅. InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 193..Export: BibTex EndNote

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InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

王桂芬, 马根源, 关德荣, 张晓东, 张光寅

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 196-199

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 196.

王桂芬, 马根源, 关德荣, 张晓东, 张光寅. InGaAs的电调制反射谱及其组份分析[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 196..Export: BibTex EndNote

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重掺杂对Si能带结构的影响

赵明山, 王若桢

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 200-203

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 200.

赵明山, 王若桢. 重掺杂对Si能带结构的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 200..Export: BibTex EndNote

赵明山, 王若桢. 重掺杂对Si能带结构的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 200...

掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 204-206

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 204.

林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年. 掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 204..Export: BibTex EndNote

林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年. 掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 204...

硅中铂杂质能级的电子辐照效应

龚敏, 游志朴

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 207-209

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 207.

龚敏, 游志朴. 硅中铂杂质能级的电子辐照效应[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 207..Export: BibTex EndNote

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用CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟乘除器

洪志良, Hans Melchior

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 210-213

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 210.

洪志良, H Melchior. 用CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟乘除器[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 210..Export: BibTex EndNote

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在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 214-217

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 214.

刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳. 在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 214..Export: BibTex EndNote

刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳. 在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 214...

高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究

卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 218-221

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 218.

卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊. 高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 218..Export: BibTex EndNote

卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊. 高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 218...

共腔双稳态半导体激光器的实验研究

李建蒙, 彭怀德, 王启明

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 222-224

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1987, 8(2): 222.

李建蒙, 彭怀德, 王启明. 共腔双稳态半导体激光器的实验研究[J]. Chin. J. Semicond., 1987, 8(2): 222..Export: BibTex EndNote

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