Journal of Semiconductors

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Volume 8, Issue 2, Feb 1987

CONTENTS

关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究

王守武, 王仲明, 马国荣

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 113

异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响

郭长志, 黄永箴

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 122

单边突变p~+n结的非耗尽分析

傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 130

a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算

林璇英, 杨大同, 奚中和

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 137

MISIS结构的电特性和C(V)研究

陈晖, 张继盛, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 145

新的双层介质的InP MIS结构

汪正孝

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 152

离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型

汤庭鳌, Carlos Araujo

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 160

连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

江炳尧, 张祖华, 周祖尧, 杨根庆, 邹世昌

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 167

关于一维晶体的表面态问题

庞小峰

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 175

非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究

李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 182

重掺杂高补偿锗的电导和磁阻

李国华, 傅绮英, 吕红, 王大为

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 186

P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化

王立军, 张青月

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 190

InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据

侯晓远, 俞鸣人, 王迅

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 193

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

王桂芬, 马根源, 关德荣, 张晓东, 张光寅

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 196

重掺杂对Si能带结构的影响

赵明山, 王若桢

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 200

掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 204

硅中铂杂质能级的电子辐照效应

龚敏, 游志朴

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 207

用CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟乘除器

洪志良, Hans Melchior

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 210

在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 214

高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究

卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 218

共腔双稳态半导体激光器的实验研究

李建蒙, 彭怀德, 王启明

Chin. J. Semicond. 1987, 8(2): 222