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Volume 8, Issue 3, Mar 1987

• CONTENTS

  调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动

  熊诗杰

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 225
  

  硅中金施主和受主光电性质的系统研究

  王占国

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 236
  

  固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究

  洪沨, 李炳宗, 姜国宝, 黄维宁, 张强基, 费璐

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 247
  

  Ti/Si和Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成

  李宝骐, 王佑祥, 殷士端, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 254
  

  Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究

  田曾举, 张开明, 叶令, 谢希德

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 261
  

  LSIS-2自动布图设计系统

  庄文君, 程可行, 薄建国, 牛征虎, 高春华, 易涪兰

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 270
  

  关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别

  周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 277
  

  P型LEC-GaAs中双重受主态的研究

  江德生, 宋春英, 何宏家, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 283
  

  键轨道的近似计算

  钟学富

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 291
  

  硅中铁对氧碳沉淀的影响

  张一心

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 300
  

  GaP(-1-1-1)-1×1表面的Ga3d化学位移

  邢益荣

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 305
  

  Si中注Pb的红外瞬态退火

  殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 308
  

  Pd在P-Si中的物理行为

  周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 312
  

  HEMT电子迁移率与器件参数关系

  赵冷柱

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 316
  

  a-Si:H的低温电导及其Staebler-Wronski效应的研究

  周江淮, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 321
  

  应用电子辐照技术控制功率开关晶体管少子寿命的研究

  柴天恩, 乔健, 麦淑贤, 郑继义, 常保延

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 325
  

  GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性

  徐仲英, 梁基本, 许继宗, 郑宝真, 李玉璋, 徐俊英, 曾一平, 葛惟锟

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 329
  

  Si(001)-(2×1)的金属性表面态

  徐亚伯, 陈晓华, 李海洋

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 334
  

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