Archive

Volume 8, Issue 4, Apr 1987

• CONTENTS

  用离子自注入改善SOS单晶膜质量的研究

  范仁永, 郁元桓, 褚一鸣, 殷士端, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 337
  

  横向电压型压力传感器灵敏度的几何效应

  鲍敏杭, 齐薇佳, 王言

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 345
  

  Si(331)-6×2表面相及其氧吸附特性

  邢益荣

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 351
  

  亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的能带结构

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 356
  

  微波功率晶体管管内匹配网络

  徐天东

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 362
  

  MOS器件三维数值模拟

  陈大同, 吴启明, 王泽毅, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 371
  

  两微米外延N阱CMOS艺的研究

  马槐楠, 徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 378
  

  P埋层GaAs MESFET研究

  史常忻, 李晓明, 忻尚衡, 陈益新

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 385
  

  硅禁带宽度的温度关系

  易明銧

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 391
  

  二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式

  陈国樑

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 395
  

  条形半导体激光器中电过程和光波导过程的精确理论

  郭长志, 丁凡

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 402
  

  流体静压力下窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe电学性质的研究

  刘冉, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 410
  

  Si中注入Zn的辐射损伤

  殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 418
  

  半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响

  王桂芬, 马根源, 张光寅

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 423
  

  键轨道参数的直接计算

  钟学富

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 426
  

  锗硅单晶扩散系数理论探讨及各晶向扩硼实验

  陈忠景, 陈为民, 林政伟

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 429
  

  a-Si_(1-x)C_x:H/pn~(-in)结构的蓝白色电致发光

  张仿清, 张亚非, 陈光华

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 433
  

  近红外全离子注入平面结构锗雪崩光电探测器的研制

  丁国庆, 阚希文

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 437
  

  GaAs IC逻辑门静态特性的分析

  史常忻, 余兴

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 443
  

  高阻化合物电阻率的测量方法

  祁增芳

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 445
  

  第二届全国多值逻辑学术讨论会在重庆大学召开

  黄开源

  Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 449
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved