Journal of Semiconductors

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Volume 10, Issue 10, Oct 1989

CONTENTS

两性杂质锗在LPE GaAs中分凝系数和占位比的计算

杨辉, 梁骏吾

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 725

具有1/ch~2界面的介质光波导的模方程

马春生, 刘式墉

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 733

Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质

江若琏, 郑有炓, 傅浩, 邵建军, 黄善祥

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 739

半导体激光器的动态模式增益谱

谢京涛, 张存善, 郑云龙, 李佩琏

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 746

轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

郑庆平, 章倩苓, 阮刚

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 754

晶体硅中氢钝化硼的机理

施天生, 钟钦

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 763

氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜

郭述文, 朱基千, 谭淞生, 王渭源

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 769

大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究

万积庆, 廖晓华

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 775

TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究

陶江, 赵铁民, 张国炳, 王阳元, 汪锁发, 李永洪

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 781

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

张永航, 孔梅影, 陈良惠, 王启明

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 788

1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器

王圩, 张静媛, 田慧良, 缪育博, 汪孝杰, 马朝华, 王丽明, 吕卉, 高俊华, 高洪海

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 794

一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器

朱龙德, G.A.B.Feak, J.M.Ballantyne, D.K.Wagner, P.L.Tihanyi

Chin. J. Semicond. 1989, 10(10): 799