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Volume 10, Issue 10, Oct 1989
Table of Content
CONTENTS
两性杂质锗在LPE GaAs中分凝系数和占位比的计算
杨辉, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 725-732
Abstract PDF

具有1/ch~2界面的介质光波导的模方程
马春生, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 733-738
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Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质
江若琏, 郑有炓, 傅浩, 邵建军, 黄善祥
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 739-745
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半导体激光器的动态模式增益谱
谢京涛, 张存善, 郑云龙, 李佩琏
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 746-753
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轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟
郑庆平, 章倩苓, 阮刚
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 754-762
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晶体硅中氢钝化硼的机理
施天生, 钟钦
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 763-768
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氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜
郭述文, 朱基千, 谭淞生, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 769-774
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大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究
万积庆, 廖晓华
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 775-780
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TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究
陶江, 赵铁民, 张国炳, 王阳元, 汪锁发, 李永洪
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 781-787
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GaAs/AlGaAs多量子阱激光器
张永航, 孔梅影, 陈良惠, 王启明
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 788-793
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1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器
王圩, 张静媛, 田慧良, 缪育博, 汪孝杰, 马朝华, 王丽明, 吕卉, 高俊华, 高洪海
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 794-798
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一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器
朱龙德, G.A.B.Feak, J.M.Ballantyne, D.K.Wagner, P.L.Tihanyi
Chin. J. Semicond.  1989, 10(10): 799-804
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