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Volume 10, Issue 11, Nov 1989
Table of Content
CONTENTS
GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究
薛舫时
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 805-811
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双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型
汤庭鳌, 陈登元, Carlos Araujo
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 812-821
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MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟
夏永伟, G.Pananakakis, G.Kamarinos
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 822-832
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群法及其在LSI/VLSI自动布图设计中的应用
俞明永, 马佐成, 庄文君
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 833-839
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定域SOI区熔再结晶研究
柳连俊, 钱佩信, 张宗铭, 潘子康, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 840-845
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离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成
杨熙宏, 毛思宁, 陈坚, 刘家瑞, 杨锋, 许天冰
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 846-852
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硅中离子注入硼的异常扩散
郭强, 鲍希茂, 严勇, 冯端
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 853-858
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等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究
刘德中, 罗兴华, 张伟, 王季陶
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 859-864
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CoMnNi氧化物非晶薄膜退火研究
谭辉, 陶明德, 韩英
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 865-870
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SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究
戴国瑞, 姜月顺, 王雅静, 董玺娟, 汤大新, 李铁津
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 871-877
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难熔金属硅化物的喇曼散射
陈存礼, 曹明珠, 何胜龙, 徐伟文, 蒋宏伟, 茅保华
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 878-880
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GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱
曾安, 吴荣汉, 曾一平, 孔梅影, 王启明
Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 881-884
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