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Volume 10, Issue 11, Nov 1989

• CONTENTS

  GaAs/AlGaAs量子阱中的Г-X混和及谐振态和非限定态的研究

  薛舫时

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 805
  

  双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

  汤庭鳌, 陈登元, Carlos Araujo

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 812
  

  MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟

  夏永伟, G.Pananakakis, G.Kamarinos

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 822
  

  群法及其在LSI/VLSI自动布图设计中的应用

  俞明永, 马佐成, 庄文君

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 833
  

  定域SOI区熔再结晶研究

  柳连俊, 钱佩信, 张宗铭, 潘子康, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 840
  

  离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

  杨熙宏, 毛思宁, 陈坚, 刘家瑞, 杨锋, 许天冰

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 846
  

  硅中离子注入硼的异常扩散

  郭强, 鲍希茂, 严勇, 冯端

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 853
  

  等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

  刘德中, 罗兴华, 张伟, 王季陶

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 859
  

  CoMnNi氧化物非晶薄膜退火研究

  谭辉, 陶明德, 韩英

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 865
  

  SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究

  戴国瑞, 姜月顺, 王雅静, 董玺娟, 汤大新, 李铁津

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 871
  

  难熔金属硅化物的喇曼散射

  陈存礼, 曹明珠, 何胜龙, 徐伟文, 蒋宏伟, 茅保华

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 878
  

  GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱

  曾安, 吴荣汉, 曾一平, 孔梅影, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(11): 881
  

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