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Volume 10, Issue 12, Dec 1989

• CONTENTS

  InPδ掺杂的输运特性

  程文超, A.Zrenner, 叶秋怡, F.Koch

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 885
  

  折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析

  郭长志, 陈水莲

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 892
  

  新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

  谭长华, 许铭真, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 904
  

  热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响

  徐鸿达, T.G.Andersson

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 912
  

  LEC GaAs中缺陷的光致发光研究

  陈廷杰, 吴灵犀, 王占国, 何宏家, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 917
  

  Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

  赵特秀, 沈波, 刘洪图, 季明荣, 吴建新, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 924
  

  半导体3-D磁敏器件的设计与分析

  刘亿, 赖宗声

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 930
  

  具有单元自动生成的多元胞布图方法

  蒋君伟, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 936
  

  高纯气体中痕量金属杂质的测定

  崔仙航, 徐学敏, 严性天, 郎文卉

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 945
  

  硅中Mo-B络合物的电荷分布

  吴汲安, 周洁, 张大仁

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 952
  

  重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

  徐谨民, 邵丽影, 吴敏

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 955
  

  硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器

  庄婉如, 石志文, 杨培生, 梅野正義, 神保孝志, 曾我哲夫

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 960
  

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