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Volume 10, Issue 3, Mar 1989

• CONTENTS

  ZrN/n-GaAs肖特基势垒特性研究

  张利春, 高玉芝, N.W.Cheung

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 161
  

  器件模型参数优化提取的混合算法

  郝跃, 贾新章

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 168
  

  InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成

  李维旦, 富小妹, 潘慧珍

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 173
  

  MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究

  李宝骐, 季明荣, 吴建新, 许振嘉, 阎江

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 179
  

  Au、Al/a-Si:H热退火行为研究

  金澍, 刘洪图, 赵特秀, 吴志强, 沈波, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 186
  

  亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造

  杨玉芬, 陈宗圭, 张矩

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 192
  

  用RC网络作延迟模型的开关级定时模拟

  胡易, 王兆明

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 198
  

  钨硅化物砷化镓Schottky接触的形成和特性

  祝忠德, 许虹, 宁宝俊, 李晓光

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 207
  

  退火对Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响

  陈坚, 黄信凡, 鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 217
  

  MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光

  胡天斗, 许继宗, 梁基本, 庄蔚华

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 222
  

  漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通

  谢连生, 陈学良, 徐元森

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 227
  

  As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为

  范伟栋, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 230
  

  衬底对a-Si:H激光结晶的影响

  鲍希茂, 顾清, 黄信凡

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 233
  

  紫外光/臭氧干法去除光刻胶

  谈凯声, 祁宜芝

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 236
  

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