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Volume 10, Issue 3, Mar 1989
Table of Content
CONTENTS
ZrN/n-GaAs肖特基势垒特性研究
张利春, 高玉芝, N.W.Cheung
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 161-167
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器件模型参数优化提取的混合算法
郝跃, 贾新章
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 168-172
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InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成
李维旦, 富小妹, 潘慧珍
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 173-178
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MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究
李宝骐, 季明荣, 吴建新, 许振嘉, 阎江
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 179-185
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Au、Al/a-Si:H热退火行为研究
金澍, 刘洪图, 赵特秀, 吴志强, 沈波, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 186-191
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亚微米栅长调制掺杂场效应管(MODFET)的制造
杨玉芬, 陈宗圭, 张矩
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 192-197
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用RC网络作延迟模型的开关级定时模拟
胡易, 王兆明
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 198-206
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钨硅化物砷化镓Schottky接触的形成和特性
祝忠德, 许虹, 宁宝俊, 李晓光
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 207-216
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退火对Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响
陈坚, 黄信凡, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 217-221
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MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光
胡天斗, 许继宗, 梁基本, 庄蔚华
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 222-226
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漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通
谢连生, 陈学良, 徐元森
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 227-229
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As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为
范伟栋, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 230-232
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衬底对a-Si:H激光结晶的影响
鲍希茂, 顾清, 黄信凡
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 233-235
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紫外光/臭氧干法去除光刻胶
谈凯声, 祁宜芝
Chin. J. Semicond.  1989, 10(3): 236-240
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