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Volume 10, Issue 5, May 1989

• CONTENTS

  实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究

  刘军, 徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 323
  

  半导体BH激光器中散射过程的选模作用

  郭长志, 吴立新

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 334
  

  硅中与钯相关的深能级的研究

  傅建明, 王占国, 万寿科, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 343
  

  GaAs/AlGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算

  杨悦非, 朱蔚雯, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 350
  

  Znse/GaAs超晶格的电子态和芯态激子

  傅柔励, 沈丁立

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 356
  

  InP/InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算

  张晓波, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 362
  

  CZ硅中氧沉淀的红外光谱研究

  钟磊, 赵清华

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 368
  

  LSIS-II布图设计系统的实用化设计

  庄文君, 程可行, 牛征虎, 高春华, 刘新平, 马佐成

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 376
  

  单片集成CMOS二阶OTA-C连续时间模拟滤波器

  赵玉山, 秦世才, 贾香鸾

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 382
  

  注S-SI GaAs晶体中的缺陷

  王绍渤, 吴瑞娣, 夏冠群

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 387
  

  低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

  王玉玲, 陈梦真, 江红

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 390
  

  硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

  姚秀琛, 王雷, 陈开茅, 秦国刚

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 395
  

  硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定

  俞志毅, 黄叶肖, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(5): 399
  

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