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Volume 10, Issue 7, Jul 1989

• CONTENTS

  RF溅射碳化硅薄膜的结构研究

  王英华, 汤海鹏, 田民波, 李恒德

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 483
  

  NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

  杨肇敏, 徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 489
  

  射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究

  谭辉, 陶明德, 韩英, 张寒

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 497
  

  空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

  高玉芝, 夏宗璜, 武国英, 张利春, 黄济群, 张德贤

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 503
  

  PMMA的离子束曝光特性

  王宇钢, 赵渭江, 郑桂洲, 高玉芝

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 509
  

  注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

  阮刚, 徐晨曦, 俞强

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 514
  

  离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟

  周建坤, 陈酉善, 柳襄怀, 杨根庆, 邹世昌

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 519
  

  一种制作亚微米间隔的方法

  谢可勋, 蒋建飞, 谢缨

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 525
  

  窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

  陈辰嘉, 王学忠, 刘继周, R.R.Galazka

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 529
  

  用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构

  王云珍, 潘尧令

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 534
  

  非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量

  黄庆安, 史保华, 顾英, 张德胜

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 538
  

  SI GaAS中S~+注入的电学特性

  夏冠群, 关安民, 耿海阳, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 542
  

  短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型

  陈登元, 汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 547
  

  GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

  黄启圣

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 553
  

  Si/GaP(111)和(-1-1-1)界面的研究

  黄春晖

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 556
  

  硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

  施天生, 白国仁

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 561
  

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