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Volume 11, Issue 1, Jan 1990

• CONTENTS

  消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量

  谢茂海, 高季林, 葛惟锟, 周洁

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 1
  

  GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性

  王杏华, Reino Laiho

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 7
  

  测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,-n~v)排列方法

  李润身, H.K.Wagenfeld, J.S.Williams, Stephen Milkins, Andrew Stevenson

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 14
  

  lnP单晶特性的低温光伏研究

  颜永美

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 20
  

  GaAs/GaAlAs光双稳激光器稳态及动态特性的实验研究

  王启明, 吴荣汉, 赵建和, 刘文旭, 张权生

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 28
  

  双区共腔双稳激光器超短光脉冲输出特性分析

  赵建和, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 35
  

  GaAs双光束耦合中的普克尔效应

  王威礼, 何雪华, 让庆澜, 张合义

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 42
  

  快速热退火在硅中引入的缺陷的研究

  陆昉, 陆峰, 孙恒慧, 邬建根

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 48
  

  一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

  冯向明, 阮刚

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 55
  

  双栅MOSFET高频特性的实验研究

  李元雄, 张敏

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 63
  

  流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性

  李齐光, 姜山, 袁皓心, 陈泉森, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 68
  

  GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

  汪兆平, 韩和相, 李国华, 陈宗圭, 钟战天

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 72
  

  远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵

  赵方海, 杜国同, 张晓波, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 77
  

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