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Volume 11, Issue 10, Oct 1990

• CONTENTS

  GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

  王杏华, 郑厚植

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 727
  

  GaP:N(Te)中碲束缚激子发光的声子翼现象

  钱佑华, 丁磊

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 733
  

  Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

  杨保华, 王占国, 万寿科, 龚秀英, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 738
  

  液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究

  刘学锋, 龚秀英, 王占国

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 746
  

  用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度

  褚幼令, 王宗欣, 刘瑞林, 左文德

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 751
  

  单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法

  李润身, 朱南昌

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 759
  

  1/ch~2界面介质光波导的模吸收损耗

  马春生, 刘式墉

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 768
  

  InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD器件设计考虑及I_P—V曲线二级阶梯状扭折

  丁国庆

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 773
  

  AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

  郭良, 朱素珍, 张霞, 余金中, 王德煌

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 780
  

  射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率

  陶明德, 谭辉, 秦东, 韩英

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 786
  

  InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性

  李建蒙, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 790
  

  空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器

  石志文, 罗丽萍, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 795
  

  2千兆赫GaAs分频器设计

  史常忻, 王庆康, 李晓明, 李志奇, 夏冠群, 杨悦非, 严萍

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 799
  

  硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究

  王德煌, 郭良

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 804
  

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