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Volume 11, Issue 2, Feb 1990
Table of Content
CONTENTS
关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点
李名复, 贾英波, 周洁, 高季林, 于鑫
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 81-87
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GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究
李国华, 江德生, 韩和相, 汪兆平, K.Ploog
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 88-96
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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱
滕达, 徐仲英, 庄蔚华, 王守武
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 97-103
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Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附
钟战天, 王大文, 范越, 李承芳
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 104-110
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抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
杨晓军, 马腾阁, 张继盛, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 111-117
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改进的“带宽最小化”BBL布局算法
朱家璧, 陈允康
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 118-126
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应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究
徐大林, 王方, 李荫波, 彭忠献, 黄敬
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 127-135
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非对称轻掺杂漏(LDD)MOSFET
陈学良, 王自惠
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 136-139
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Si,As双注入GaAs的RTA研究
朱德华, 李国辉, 张通和, 王玉琦, 孙贵如
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 140-143
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p-n结电场分布的一种解析法
李肇基, 李忠民, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 144-147
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Au-GaAs(īīī)界面特性的研究
何丕模, 罗晋生, 刘古
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 148-152
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GaAs基片上制作优质衍射光栅的实时监测技术的分析
谢建平, 明海, 多田邦雄
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 153-157
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混合抛物面反射二维面发射可见光半导体激光器
张晓波, 杜国同, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 158-162
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