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Volume 11, Issue 2, Feb 1990

• CONTENTS

  关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点

  李名复, 贾英波, 周洁, 高季林, 于鑫

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 81
  

  GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

  李国华, 江德生, 韩和相, 汪兆平, K.Ploog

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 88
  

  GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱

  滕达, 徐仲英, 庄蔚华, 王守武

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 97
  

  Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附

  钟战天, 王大文, 范越, 李承芳

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 104
  

  抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用

  杨晓军, 马腾阁, 张继盛, 钱佩信

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 111
  

  改进的“带宽最小化”BBL布局算法

  朱家璧, 陈允康

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 118
  

  应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究

  徐大林, 王方, 李荫波, 彭忠献, 黄敬

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 127
  

  非对称轻掺杂漏(LDD)MOSFET

  陈学良, 王自惠

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 136
  

  Si,As双注入GaAs的RTA研究

  朱德华, 李国辉, 张通和, 王玉琦, 孙贵如

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 140
  

  p-n结电场分布的一种解析法

  李肇基, 李忠民, 陈星弼

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 144
  

  Au-GaAs(īīī)界面特性的研究

  何丕模, 罗晋生, 刘古

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 148
  

  GaAs基片上制作优质衍射光栅的实时监测技术的分析

  谢建平, 明海, 多田邦雄

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 153
  

  混合抛物面反射二维面发射可见光半导体激光器

  张晓波, 杜国同, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(2): 158
  

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