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Volume 11, Issue 3, Mar 1990

• CONTENTS

  MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析——I.ZnS_xSe_(1-x)体系

  陆大成

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 163
  

  掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究

  彭承, 李建林, 陆峻, 孙恒慧

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 170
  

  Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

  王笑军, 张新夷

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 176
  

  Ge中热空穴输运的格林函数方法

  唐刚, 徐婉棠

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 182
  

  TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究

  傅广生, 董丽芳, 李晓苇, 韩理, 张连水, 吕福润

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 193
  

  GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制

  朱龙德, 能飞克, 王启明, 陈正豪, 谢苑林, 顾世杰

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 202
  

  与光探测器单片集成双稳半导体激光器的特性

  晏绪光, 稻埸文男

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 210
  

  衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

  卢志恒, 李素杰, 张朝明, 罗晏, 张荟星

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 215
  

  砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为

  汪光裕, 邹元燨, S.Benakki, E.Christoffel, A.Goltzene, B.Meyer, C.Schwab

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 221
  

  一种带权动态调整的总体布线算法及其实现

  王维丽, 洪先龙

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 227
  

  GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料电子态研究

  沈静志, 徐至中

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 233
  

  嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析

  李国华, 梁基本, 韩和相, 汪兆平, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(3): 238
  

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