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Volume 11, Issue 8, Aug 1990

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不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象

杨富华, 郑厚植, 陈宗圭

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 565-569

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 565.

杨富华, 郑厚植, 陈宗圭. 不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 565..Export: BibTex EndNote

杨富华, 郑厚植, 陈宗圭. 不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 565...

电极条形双区共腔半导体双稳态激光器静态和瞬态行为的精确理论计算

郭长志, 柴自强

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 570-577

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 570.

郭长志, 柴自强. 电极条形双区共腔半导体双稳态激光器静态和瞬态行为的精确理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 570..Export: BibTex EndNote

郭长志, 柴自强. 电极条形双区共腔半导体双稳态激光器静态和瞬态行为的精确理论计算[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 570...

Pd/a-Si:H界面反应研究

沈波, 赵特秀, 刘洪图, 吴志强, 金澍, 许振嘉

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 578-582

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 578.

沈波, 赵特秀, 刘洪图, 吴志强, 金澍, 许振嘉. Pd/a-Si:H界面反应研究[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 578..Export: BibTex EndNote

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GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合

王威礼, 张合义, 何雪华, 让庆澜

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 583-589

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 583.

王威礼, 张合义, 何雪华, 让庆澜. GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 583..Export: BibTex EndNote

王威礼, 张合义, 何雪华, 让庆澜. GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 583...

快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

赵蔚, 张玉书, 石家纬, 金恩顺, 高鼎三

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 590-593

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 590.

赵蔚, 张玉书, 石家纬, 金恩顺, 高鼎三. 快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 590..Export: BibTex EndNote

赵蔚, 张玉书, 石家纬, 金恩顺, 高鼎三. 快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 590...

Pd-Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究

张维新, 赵玲娟

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 594-602

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 594.

张维新, 赵玲娟. Pd-Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 594..Export: BibTex EndNote

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八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

杨玉芬, 张黄河, 王保强, 侯梦会, 吴晓东, 彭斌

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 603-608

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 603.

杨玉芬, 张黄河, 王保强, 侯梦会, 吴晓东, 彭斌. 八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 603..Export: BibTex EndNote

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一种有效地综合两种分级设计方法的BBL布局算法

俞明永, 薄建国, 洪先龙, 连永君, 庄文君

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 609-614

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 609.

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氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 615-622

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 615.

张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元. 氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 615..Export: BibTex EndNote

张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元. 氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 615...

半绝缘InP中Si~++P~+双注入的电学特性

沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 623-626

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 623.

沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌. 半绝缘InP中Si~++P~+双注入的电学特性[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 623..Export: BibTex EndNote

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快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究

王永顺, 熊大菁, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 627-634

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 627.

王永顺, 熊大菁, 李志坚. 快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 627..Export: BibTex EndNote

王永顺, 熊大菁, 李志坚. 快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 627...

N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性

马德录, 毛晓峰, 尚德颖

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 635-638

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 635.

马德录, 毛晓峰, 尚德颖. N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 635..Export: BibTex EndNote

马德录, 毛晓峰, 尚德颖. N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 635...

电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

王周成, 彭瑞伍, 彭承, 孙恒慧

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 639-641

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 639.

王周成, 彭瑞伍, 彭承, 孙恒慧. 电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 639..Export: BibTex EndNote

王周成, 彭瑞伍, 彭承, 孙恒慧. 电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 639...

中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响

汤庭鳌, 郑大卫, C.A.Paz de Araujo

Chin. J. Semicond. 1990, 11(8): 642-646

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1990, 11(8): 642.

汤庭鳌, 郑大卫, C.A.Paz de Araujo. 中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 642..Export: BibTex EndNote

汤庭鳌, 郑大卫, C.A.Paz de Araujo. 中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1990, 11(8): 642...

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