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Volume 11, Issue 8, Aug 1990

• CONTENTS

  不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象

  杨富华, 郑厚植, 陈宗圭

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 565
  

  电极条形双区共腔半导体双稳态激光器静态和瞬态行为的精确理论计算

  郭长志, 柴自强

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 570
  

  Pd/a-Si:H界面反应研究

  沈波, 赵特秀, 刘洪图, 吴志强, 金澍, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 578
  

  GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合

  王威礼, 张合义, 何雪华, 让庆澜

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 583
  

  快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

  赵蔚, 张玉书, 石家纬, 金恩顺, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 590
  

  Pd-Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究

  张维新, 赵玲娟

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 594
  

  八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

  杨玉芬, 张黄河, 王保强, 侯梦会, 吴晓东, 彭斌

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 603
  

  一种有效地综合两种分级设计方法的BBL布局算法

  俞明永, 薄建国, 洪先龙, 连永君, 庄文君

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 609
  

  氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

  张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 615
  

  半绝缘InP中Si~++P~+双注入的电学特性

  沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 623
  

  快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究

  王永顺, 熊大菁, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 627
  

  N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性

  马德录, 毛晓峰, 尚德颖

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 635
  

  电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

  王周成, 彭瑞伍, 彭承, 孙恒慧

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 639
  

  中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响

  汤庭鳌, 郑大卫, C.A.Paz de Araujo

  Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 642
  

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