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Volume 12, Issue 11, Nov 1991

• CONTENTS

  电场下多量子阱能级和光跃迁的计算

  秦国毅, 张志勇

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 649
  

  表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 657
  

  硅线性升温快速热处理氧化动力学模型

  汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 666
  

  用于制备SOI材料的RF-ZMR技术研究

  张鹏飞, 钱佩信, 林惠旺, 柳连俊

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 673
  

  列阵半导体激光器中的热传输特性

  张晓波, 陈金明, 高鼎三

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 679
  

  单片集成智能化生理型心脏起搏器数字控制单元

  洪志良, 陈群伟, 丁江, 方祖祥

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 686
  

  利用SOI材料提高触觉传感阵列的性能

  吕世骥, 黄庆安, 童勤义, 袁璟

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 695
  

  多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

  陈维德, 金高龙, 崔玉德, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 700
  

  nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响

  李海峰, 熊华, 刁宏伟, 郑怀德, 廖显伯

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 705
  

  SnO_2/ITO复合透明导电膜研究

  宿昌厚, 庞大文, 张治国

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(11): 709
  

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