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Volume 12, Issue 5, May 1991

• CONTENTS

  电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量

  董琪, 郑心畬, 陈培毅, 费新礴

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 257
  

  Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究

  金高龙, 陈维德, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 265
  

  电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响

  许铭真, 谭长华, 刘晓卫, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 273
  

  硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

  陈维德, H.Bender

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 284
  

  用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

  周国良, 盛篪, 樊永良, 张翔九, 俞鸣人, 黄宜平

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 289
  

  离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜

  冯嘉猷, 汤海鹏, 朱洪林, 范玉殿, 李恒德

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 294
  

  半绝缘InP的铁能级研究

  彭承, 孙恒慧, 唐文国, 李自元

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 300
  

  用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED

  郭康瑾, 肖德元, 陈启玙, 徐少华, 陈瑞璋, 张晓平

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 304
  

  用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅

  缪育博, 张静媛, 王圩

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 309
  

  亚微米MOSFET的计算机模拟

  张义门, 滕建旭

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 313
  

  GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究

  汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生, Klaus Ploog

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 317
  

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