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Volume 12, Issue 6, Jun 1991

• CONTENTS

  电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构

  范卫军, 夏建白

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 323
  

  硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究

  胡灿明, 黄叶肖, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 332
  

  N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响

  徐建人, 龚雅谦, 郑国珍, 郭少令

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 338
  

  负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

  林绪伦, 朱恩均, 黄敞, 肖硕

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 346
  

  单层布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar

  张钦海, 万斌, 钱黎明, 章开和, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 352
  

  1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究

  徐立, 武国英, 张国炳, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 360
  

  高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响

  陶江, 武国英, 张国炳, 陈文茹, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 367
  

  用于半导体器件数值模拟的网格自洽剖分方法

  何野, 樊继山, 曹国祥

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 373
  

  掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究

  陈光华, 张津燕, 甘润今, 张仿清

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 376
  

  GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模

  汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 381
  

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