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Volume 12, Issue 8, Aug 1991
Table of Content
CONTENTS
Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论
薛舫时
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 453-460
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导电高分子能带的Wannier函数方法
刘晶南, 童国平, 傅荣堂, 孙鑫
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 461-468
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硅中氧的结构组态及热扩散行为
陈畅生, 曾繁清, 熊传铭, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 469-476
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GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器
庄婉如, 杨培生, 陈纪瑛, 李建中
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 477-481
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RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质
江若琏, 郑有炓, 马金中, 冯德伸, 江宁, 张荣, 胡立群, 李学宁
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 482-487
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半导体太阳电池最佳工作参数计算新法
宿昌厚, 庞大文
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 488-493
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HEMT及其界面态效应的二维数值模拟
相奇, 罗晋生, 朱秉升
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 494-501
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高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析
易怀仁, 王瑞兰, 李宏成, 陆斌, 刘维, 陈元, 尹渤, 容锡深, 李林
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 502-508
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微氮硅单晶中的热受主
杨德仁, 吕军, 李立木, 姚鸿年, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 509-512
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MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究
王春艳, 王玉田, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 513-517
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