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Volume 12, Issue 8, Aug 1991

• CONTENTS

  Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论

  薛舫时

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 453
  

  导电高分子能带的Wannier函数方法

  刘晶南, 童国平, 傅荣堂, 孙鑫

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 461
  

  硅中氧的结构组态及热扩散行为

  陈畅生, 曾繁清, 熊传铭, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 469
  

  GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

  庄婉如, 杨培生, 陈纪瑛, 李建中

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 477
  

  RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质

  江若琏, 郑有炓, 马金中, 冯德伸, 江宁, 张荣, 胡立群, 李学宁

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 482
  

  半导体太阳电池最佳工作参数计算新法

  宿昌厚, 庞大文

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 488
  

  HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

  相奇, 罗晋生, 朱秉升

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 494
  

  高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析

  易怀仁, 王瑞兰, 李宏成, 陆斌, 刘维, 陈元, 尹渤, 容锡深, 李林

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 502
  

  微氮硅单晶中的热受主

  杨德仁, 吕军, 李立木, 姚鸿年, 阙端麟

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 509
  

  MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究

  王春艳, 王玉田, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 513
  

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