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Volume 12, Issue 9, Sep 1991
Table of Content
CONTENTS
聚丁二炔(Polydiacetylenes)单晶中光生载流子的输运与复合
彭景翠
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 519-524
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Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构
周煦炎, 施丹华, 曹培林
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 525-529
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半导体超晶格界面附近的电荷转移
王仁智, 黄美纯
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 530-535
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氢等离子体原位清洁硅衬底表面
沈复初, 叶必光, 陈坚, 龚晨光
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 536-541
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对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测
何宇亮, 程光煦
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 542-545
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CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性
马槐楠, Eric A.Vittoz, 徐葭生
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 546-554
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掺磷氢化硅低温微晶化的研究
耿新华, 孟志国, 陆靖谷, 孙钟林, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 555-560
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实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制
阎春辉, 刘明登, 全宝富, 朱袁正, 张旭光, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 561-565
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硅太阳电池发射区复合的分析
丘思畴, 左磊, 丘睦钦
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 566-569
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场助GaAs-玻璃键合工艺的研究
吕世骥, 黄庆安, 童勤义
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 570-574
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增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲
孙伟, 衣茂斌, 王艳辉, 刘宗顺
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 575-577
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LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料
段树坤, 熊飞克, 李学斌, 李晶, 王玉田, 江德生, 徐俊英, 万寿科, 钱家骏
Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 578-582
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