Journal of Semiconductors

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Volume 13, Issue 1, Jan 1992

CONTENTS

PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

龚大卫, 陆昉, 孙恒慧

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 1

硅中与钼有关能级的研究

周洁, 卢励吾, 韩志勇, 吴汲安

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 8

Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究

段晓峰, 冯国光, 王玉田, 褚一鸣, 刘学锋, 盛篪, 周国良

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 14

ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别

江风益, 潘传康, 范广涵, 范希武

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 22

用正偏电容测量研究SBD的界面态

陈弘毅

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 28

Ar~+激光结晶非晶硅膜电学性质研究

张向东, 黄信凡, 陈坤基

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 36

声电输运器件的沟道特性研究

邹英寅, 凌明芳, 陈抗生

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 42

SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性

李金华, 林成鲁, 林梓鑫, 薛才广, 邹世昌

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 49

μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质

郑家贵, 冯良桓, 蔡伟, 黄天荃, 蔡亚平, 罗昭和, 周心明

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 55

差值取样谱函数定理及其在研究MOS陷阱弛豫效应方面的应用

许铭真, 谭长华, 王阳元

Chin. J. Semicond. 1992, 13(1): 62