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Volume 13, Issue 12, Dec 1992

• CONTENTS

  几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

  牛国富, 阮刚

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 721
  

  含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱

  朱景兵, 陆卫, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础, W.Giriat

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 729
  

  用数值法分析TF-SOI-MOS管沟道区的电势分布

  汤庭鳌, 郑大卫, 黄宜平, C.A.Paz de Araujo

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 736
  

  BiCMOS比较器宏单元

  杨肇敏, 乌力吉, 徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 742
  

  H在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面特性的影响

  徐国定, 张涛

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 750
  

  快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究

  曹子祥, 黄永宏, 王思杰, 陈怀溥

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 756
  

  显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀

  陈诺夫

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 763
  

  Pb/Si(001)系统界面反应的ELS研究

  赵汝光, 贾金峰, 杨威生

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 767
  

  多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光

  王健, 蒋红兵, 王文澄, 郑家骠, 张甫龙, 郝平海, 侯晓远, 王迅

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 773
  

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