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Volume 13, Issue 4, Apr 1992

• CONTENTS

  GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型

  黄庆安, 吕世骥, 童勤义

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 199
  

  浮区中热和溶质的毛细对流

  游仁然, 胡文瑞

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 209
  

  精确模拟各类扩散结型器件纵向完整掺杂分布的归一化函数

  陆国杰

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 217
  

  不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

  卢励吾, 周洁, 瞿伟, 张盛廉

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 225
  

  磁场下高纯硅的光热电离谱

  朱景兵, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 232
  

  GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

  赵家龙, 高瑛, 刘学彦, 苏锡安, 梁家昌, 关兴国, 章其麟

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 236
  

  离子注入展宽p-n结终端

  万积庆, 陈迪平, 廖晓华

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 242
  

  FELLOW CMOS双层金属工艺的门阵列版图设计系统

  薛华, 李峰, 钱黎明, 李劲松, 童家榕, 章开和, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 246
  

  超晶格分子层中的键能和平均键能的研究

  王仁智, 黄美纯

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 253
  

  低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

  肖建伟, 徐俊英, 杨国文, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠, 周小川, 蒋健, 钟战天

  Chin. J. Semicond.  1992, 13(4): 258
  

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