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Volume 14, Issue 3, Mar 1993
Table of Content
CONTENTS
MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
胡雨生, 胡福义, 汪乐, 李爱珍, 范伟栋
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 133-138
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多孔硅的电致发光研究
张甫龙, 郝平海, 史刚, 侯晓远, 丁训民, 黄大鸣, 王迅
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 139-142
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微乳状液中CdS超微粒制备与光学特性研究
李守田, 邹炳锁, 张岩, 肖良质, 李铁津, 赵家龙, 张继森, 黄世华, 虞家琪
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 143-147
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亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析
张锡盛, 何新平, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 148-153
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p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性
张福甲, 彭军
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 154-159
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淀积参数对ITO膜电阻率的影响
张怀武, 许武毅, 过壁君
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 160-165
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BF_2~+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
朱文玉, 李晓勤, 林成鲁, 陈树光, 徐运海
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 166-173
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含氮CZ硅力学行为研究
石志仪, 谢书银, 佘思明, 李立本, 张锦心
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 174-180
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MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
彭承, 陆叶华, 孙恒慧, 唐文国, 李自元
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 181-184
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非晶碳膜电子辐照性质的研究
顾书林, 何宇亮, 王志超
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 185-188
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气相色谱法测定薄膜中氢含量
吕惠云, 陈克铭
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 189-193
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p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究
史常忻, A.Mesquida Kusters, A.Kohl, R.Muller, K.Heime
Chin. J. Semicond.  1993, 14(3): 194-197
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