Archive

Volume 14, Issue 5, May 1993

• CONTENTS

  金属包层五层介质光波导的模吸收损耗

  马春生, 曹杰, 刘式墉

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 265
  

  浮区中相变对流和毛细对流对分凝过程的影响

  熊斌, 胡文瑞

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 270
  

  短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型

  程玉华, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 278
  

  GaAs对称定向耦合光开关的研究

  冯浩, 李锡华, 王明华, 吴志武

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 286
  

  考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析

  张锡盛, 何新平, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 292
  

  沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿

  黄美浅, 黎沛涛, 马志坚, 郑耀宗, 刘百勇, 李观启

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 297
  

  GaAs电学参数温度性质的研究

  张声豪

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 304
  

  LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究

  牛文成

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 313
  

  Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究

  曹望和, 张联苏

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 318
  

  发光多孔硅高分辨电镜分析

  鲍希茂, 闫锋, 柳承恩, 郑祥钦, 王路春, 朱健民, 李齐

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 322
  

  a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验

  孙国胜, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 325
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved