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沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 297
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 304
LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 313
Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 318
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 322
a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验
Chin. J. Semicond. 1993, 14(5): 325