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Volume 14, Issue 5, May 1993
Table of Content
CONTENTS
金属包层五层介质光波导的模吸收损耗
马春生, 曹杰, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 265-269
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浮区中相变对流和毛细对流对分凝过程的影响
熊斌, 胡文瑞
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 270-277
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短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型
程玉华, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 278-285
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GaAs对称定向耦合光开关的研究
冯浩, 李锡华, 王明华, 吴志武
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 286-291
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考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析
张锡盛, 何新平, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 292-296
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沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿
黄美浅, 黎沛涛, 马志坚, 郑耀宗, 刘百勇, 李观启
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 297-303
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GaAs电学参数温度性质的研究
张声豪
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 304-312
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LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究
牛文成
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 313-317
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Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究
曹望和, 张联苏
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 318-321
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发光多孔硅高分辨电镜分析
鲍希茂, 闫锋, 柳承恩, 郑祥钦, 王路春, 朱健民, 李齐
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 322-324
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a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验
孙国胜, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 325-329
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