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Volume 15, Issue 1, Jan 1994

• CONTENTS

  掺杂聚乙炔中的局域电子状态及其特性研究

  庞小峰，游寿星

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 1
  

  生长在Si（001）衬底上的Ge_xSi_（1－x）合金的电子能带结构

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 10
  

  非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性

  康晓黎，宋南辛，朱丽津，李锡华，张银女，陈高庭

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 18
  

  硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

  季振国, 汪雷，袁骏

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 23
  

  一种新的硅深槽刻蚀技术研究

  钱钢，张利春，阎桂珍，王咏梅，张大成，王阳元

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 29
  

  铍注入锑化铟快速热退火的研究

  张廷庆，刘家璐

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 35
  

  形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究

  李国辉，韩德俊，陈如意，姬成周，王策寰，夏德谦，朱红清

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 40
  

  离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

  施左宇，林成鲁，朱文化，邹世昌

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 48
  

  雷达动目标检测（MTD）专用集成电路的设计

  王月明，徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 55
  

  两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

  张国强，严荣良，余学锋，任边远，高文钰，赵元富，胡浴红，王英民

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 64
  

  用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs

  余怀之，吕玉林，刘建平，冯德伸

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 67
  

  纳米硅薄膜界面结构的微观特征

  何宇亮，褚一鸣，王中怀，刘湘娜，白春礼

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 71
  

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