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Volume 15, Issue 1, Jan 1994
Table of Content
CONTENTS
掺杂聚乙炔中的局域电子状态及其特性研究
庞小峰，游寿星
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 1-9
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生长在Si（001）衬底上的Ge_xSi_（1－x）合金的电子能带结构
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 10-17
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非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性
康晓黎，宋南辛，朱丽津，李锡华，张银女，陈高庭
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 18-22
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硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合
季振国, 汪雷，袁骏
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 23-28
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一种新的硅深槽刻蚀技术研究
钱钢，张利春，阎桂珍，王咏梅，张大成，王阳元
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 29-34
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铍注入锑化铟快速热退火的研究
张廷庆，刘家璐
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 35-39
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形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究
李国辉，韩德俊，陈如意，姬成周，王策寰，夏德谦，朱红清
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 40-47
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离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟
施左宇，林成鲁，朱文化，邹世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 48-54
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雷达动目标检测（MTD）专用集成电路的设计
王月明，徐葭生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 55-63
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两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性
张国强，严荣良，余学锋，任边远，高文钰，赵元富，胡浴红，王英民
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 64-66
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用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs
余怀之，吕玉林，刘建平，冯德伸
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 67-70
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纳米硅薄膜界面结构的微观特征
何宇亮，褚一鸣，王中怀，刘湘娜，白春礼
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 71-74
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