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Volume 15, Issue 10, Oct 1994

• CONTENTS

  GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算

  范卫军，夏建白

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 655
  

  InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

  童玉珍，杨锡震，王占国，周伯骏

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 660
  

  分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

  阎春辉，郑海群，范缇文，孔梅影，曾一平，黄运衡，朱世荣，孙殿照

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 665
  

  多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究

  高元恺，韩爱珍，赵永春，林逸青

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 670
  

  多孔硅的氢化、氧化与光致发光

  张丽珠，段家忯，林军，张伯蕊，毛晋昌，付济时，秦国刚，许振华

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 674
  

  染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性

  夏永伟，李国花，滕学公，樊志军

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 681
  

  MOS场效应管的新的电流公式

  汤庭鳌，王晓晖，郑大卫

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 686
  

  基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

  罗毅，张盛忠，司伟民，陈镝，王健华

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 694
  

  用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器

  陈娓兮，钟勇，蔡兵，赵冀徽，焦鹏飞，王舒民，石志文，高俊华

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 700
  

  F~＋＋B~＋双注入浅结研究

  李金华，林成鲁，冒建军，何建军，邹世昌

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 704
  

  GaAs／AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

  王杏华，郑厚植，李承芳，刘剑，杨小平，余琦

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 711
  

  Nb／C_（60）／p型Si结构的特性

  陈开茅，金泗轩，贾勇强，吴克，李传义，顾镇南，周锡煌

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 716
  

  低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器

  张敬明，徐遵图，杨国文，李世祖，郑婉华，肖建伟，徐俊英，陈良惠

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 721
  

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