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Volume 15, Issue 8, Aug 1994

• CONTENTS

  在线性型分子晶体中的局域性集体激发特性

  庞小峰

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 511
  

  CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料

  金高龙，陈维德，许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 518
  

  Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

  亓文杰，李炳宗，黄维宁，顾志光，张翔九，盛篪，胡际璜，吕宏强，卫星，沈孝良

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 524
  

  用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究

  杨杰，阎忻水，陶琨，范玉殿

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 533
  

  Ar~＋激光辐照对GaAs（100）表面硫钝化的影响

  朱永强，张桂墙，蔡颂仪，郝炳权

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 540
  

  CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

  何杰，顾诠，陈维德，许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 544
  

  GTR电流增益的二维数值分析

  高勇，赵旭东，陈治明

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 551
  

  晶体管非工作期失效率预计

  杨家铿，翁寿松

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 558
  

  Extremely　low　threshold　current　density　strained　InGaAs／AlGaAs　quantum　well　lasers　by　molecular　beam　epitaxy

  Yang Guowen, Xu Junying, Xiao Jianwei, Xu Zuntu, Zhang Jingmin, Zhang Wanhua, Zeng Yiping and Chen Lianhui

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 565
  

  多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

  王燕，廖显伯，潘广勤，孔光临

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 569
  

  离子辐照对多孔硅性质的影响

  杨海强，阎锋，官浩，鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 573
  

  GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应

  程文超，朱景兵，李月霞，宋爱民，郑厚植

  Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 577
  

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