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Volume 16, Issue 10, Oct 1995

• CONTENTS

  InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究

  孙殿照，王晓亮，李晓兵，国红熙，阎春辉，李建平，朱世荣，李灵霄，曾一平，孔梅影，侯洵

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 725
  

  短周期GaAs／AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

  莫党，谭健华，陈宗圭，杨小平，张鹏华，张伟，陈良尧

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 730
  

  定域再结晶SOI的透射电镜研究

  刘安生，邵贝羚，李永洪，刘峥，张鹏飞，钱佩信

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 736
  

  高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太阳电池的研制及辐照效应

  李标，向贤碧，游志朴，许颖，费雪英

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 741
  

  GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

  陈春华，陈新，王佑祥，姜志雄

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 747
  

  收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析

  林绪伦

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 754
  

  高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究

  俞跃辉，邹世昌，周筑颖，赵国庆

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 759
  

  硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

  赵杰，刘宝钧，李建蒙

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 766
  

  多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布

  康一秀，赵渭江，王宇钢，张利春，虞福春

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 772
  

  用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜

  张德恒

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 779
  

  硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性

  张仿清，张文军，胡博，谢二庆，陈光华

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 783
  

  直拉硅单晶中热施主的快速热退除

  栾洪发，张果虎，李兵，陈学清，秦福，钱佩信

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 789
  

  退火条件对β—FeSi_2形成的影响

  陈向东，王连卫，林贤，林成鲁，邹世昌

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 794
  

  SiO_2全封闭的硅量子线列阵

  施毅，刘建林，汪峰，张荣，韩平，余是东，张学渊，顾书林，胡立群，茅保华，郑有

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 798
  

  固体C_（70）／P型Si接触的电学性质

  陈开茅，贾勇强，吴克，金泗轩，李传义，周锡煌，顾镇南

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 801
  

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