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Volume 16, Issue 2, Feb 1995
Table of Content
CONTENTS
Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究
张明，董国胜，朱兴国，徐敏，金晓峰
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 81-86
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非晶氮化硅纳米粒子──Ⅱ：电子结构理论研究
左都罗，李道火，夏宇兴
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 87-92
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非平面InP液相外延生长的理论与实验
李洵，陈根祥，简水生
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 93-100
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InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学
徐仲英，罗昌平，金世荣，许继宗，郑宝真
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 101-106
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δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
沈文忠，黄醒良，唐文国，李自元，沈学础
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 107-112
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用脉冲腐蚀制备发光多孔硅
范洪雷，侯晓远，李喆深，张甫龙，俞鸣人，王迅
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 113-117
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不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究
朱南昌，陈京一，李润射，许顺生，周国良，张翔九，俞鸣人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 118-124
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砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究
陈新，陈春华，王佑祥
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 125-132
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K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究
季航，赵特秀，王晓平，吴建新，徐彭寿，陆尔东，许振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 133-138
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赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
刘伟，江德生，张耀辉，金珊，王若桢
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 139-144
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多孔硅中两种不同的光致发光谱
廖良生，鲍希茂，闵乃本，王水凤，曾庆城
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 145-148
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一种硅基集成微晃动马达
孙曦庆，谢会开，刘理天，李志坚，钱佩信
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 149-152
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用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜
黄大定，秦复光，姚振钰，刘志凯，任治璋，林兰英，高维滨，任庆余
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 153-157
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Band-Inhomogeneity in GaAs Single Crystal Grown in Space
周伯俊
Chin. J. Semicond.  1995, 16(2): 158-160
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