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Volume 16, Issue 4, Apr 1995
Table of Content
CONTENTS
分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计
罗毅，蒲锐，彭吉虎
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 241-247
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GaAs／AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究
杨斌，陈涌海，王占国，梁基本，廖奇为，林兰英
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 248-252
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GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结构界面光激光发过剩电子的热辅助隧穿俘获
何礼熊
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 253-257
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不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究
贾霖，王昕，张树霖，李经建，陈泳，刘忠范，蔡生民
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 258-262
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低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应
韦亚一，郑国珍，沈金熙，沈杰，郭少令，汤定元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 263-267
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多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制
段家忯，姚光庆，张丽珠，张伯蕊，宋海智，秦国刚
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 268-271
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阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
邢进，刘素平，姜秀英，赵方海，曲轶，杜国同
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 272-275
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IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻
曹茂旺，陈治明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 276-281
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HEMT的静态和小信号解析模型
张义门，龚仁喜，张玉明，吴拥军
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 282-290
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自对准硅化物CMOS／SOI技术研究
奚雪梅，徐立，武国英，李映雪，王阳元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 291-295
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碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用
徐彭寿，徐世红，朱警生，刘先明，麻茂生，张裕恒，许振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 296-302
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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质
杜开英，陈义
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 303-308
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GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
袁之良，徐仲英，许继宗，郑宝真，江德生，张鹏华，杨小平
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 309-313
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注C~＋硅多孔结构的蓝光发射
廖良生，鲍希茂，闵乃本
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 314-316
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High－field　Nonlinear　Perpendicular　Transport　in　a　GaAs／Al_（0．3）Ga_（0．7）As　Short－period　Superlattice
徐士杰，刘剑，郑厚植，李月霞，李承芳，郑海群
Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 317-320
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