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Volume 16, Issue 4, Apr 1995

• CONTENTS

  分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计

  罗毅，蒲锐，彭吉虎

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 241
  

  GaAs／AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

  杨斌，陈涌海，王占国，梁基本，廖奇为，林兰英

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 248
  

  GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结构界面光激光发过剩电子的热辅助隧穿俘获

  何礼熊

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 253
  

  不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究

  贾霖，王昕，张树霖，李经建，陈泳，刘忠范，蔡生民

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 258
  

  低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应

  韦亚一，郑国珍，沈金熙，沈杰，郭少令，汤定元

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 263
  

  多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制

  段家忯，姚光庆，张丽珠，张伯蕊，宋海智，秦国刚

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 268
  

  阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管

  邢进，刘素平，姜秀英，赵方海，曲轶，杜国同

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 272
  

  IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻

  曹茂旺，陈治明

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 276
  

  HEMT的静态和小信号解析模型

  张义门，龚仁喜，张玉明，吴拥军

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 282
  

  自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

  奚雪梅，徐立，武国英，李映雪，王阳元

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 291
  

  碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用

  徐彭寿，徐世红，朱警生，刘先明，麻茂生，张裕恒，许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 296
  

  真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

  杜开英，陈义

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 303
  

  GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究

  袁之良，徐仲英，许继宗，郑宝真，江德生，张鹏华，杨小平

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 309
  

  注C~＋硅多孔结构的蓝光发射

  廖良生，鲍希茂，闵乃本

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 314
  

  High－field　Nonlinear　Perpendicular　Transport　in　a　GaAs／Al_（0．3）Ga_（0．7）As　Short－period　Superlattice

  徐士杰，刘剑，郑厚植，李月霞，李承芳，郑海群

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(4): 317
  

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