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Volume 16, Issue 5, May 1995
Table of Content
CONTENTS
在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生
张敬明，徐遵图，杨国文，郑婉华，李世祖，肖建伟，徐俊英，陈良惠
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 321-327
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Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究
朱南昌，陈京一，胡文捷，李润身，许顺生，周国良，张翔九，俞鸣人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 328-333
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AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究
庄岩，王玉田，李建中
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 334-338
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用GSMBE法生长匹配型GaInAsP／InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究
林世鸣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 339-343
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In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光
高瑛，刘学彦，赵家龙，苏锡安，秦福文，杨树人，刘宝林，陈佰军，刘式墉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 344-349
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具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器
杜国同，姜秀英，刘素平，刘颖，高鼎三
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 350-353
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GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
熊飞克，高文智，吴荣汉，王启明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 354-357
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光交换中的半导体增益光开关门的研究
张志坚，张朝阳，郭奕理，周炳琨，张权生，吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 358-364
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开关电容阵列滤波器的设计
姜黎，李联
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 365-370
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高纯GaAs的非线性伏安特性
陈忠辉，刘普霖，史国良，陆卫，沈学础
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 371-375
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MNOS电容的辐照吸收特性
刘毓耿，易清明，刘竞云
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 376-379
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低温半导体器件模拟的误差限方法
曹俊诚，魏同立
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 380-384
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CMOS电路抗Latchup性能研究
费新礴，朱正涌
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 385-390
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SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响
黄庆安，童勤义
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 391-394
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同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响
季航，赵特秀，王晓平，吴建新，徐彭寿，陆尔东，许振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 395-400
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