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Volume 16, Issue 9, Sep 1995

• CONTENTS

  多孔硅中的新量子限制态和PL光谱

  薛舫时

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 641
  

  半导体光放大器相位补偿特性的研究

  金韬，黄德修，丘军林

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 649
  

  量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

  张敬明，徐遵图，杨国文，郑婉华，钱毅，李世祖，肖建伟，徐俊英，陈良惠

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 655
  

  GaAs／AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究

  吴小萍，朱祖华

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 659
  

  Ge_xSi_（1－x）／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计

  赵策洲，刘恩科，高勇

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 663
  

  CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

  杨文库，杨宇欣，邓文荣

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 669
  

  HgCdTe块晶不完整性的X射线双晶衍射研究

  施天生，朱南昌，沈杰，方家熊

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 673
  

  符合法弹性前冲测量重掺锑硅中氧含量

  徐岳生，刘彩池，李养贤，朱则韶，王红梅，韦伦存

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 677
  

  掺杂聚合物蓝绿发光二极管

  唐建国，马於光，刘式墉，沈家骢，田文晶

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 683
  

  小波变换的电路集成

  张永梅，徐葭生

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 688
  

  多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

  张国强，严荣良，余学锋，罗来会，任迪远，赵元富，胡浴红

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 695
  

  Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究

  王永晨，刘明成，叶维祎，王玉芳，赵杰

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 700
  

  高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

  杨斌，王占国，陈涌海，梁基本，廖奇为，林兰英，朱战萍，徐波，李伟

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 706
  

  在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化

  罗克俭，郑厚植，李承芳，徐士杰，张鹏华，张伟，杨小平

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 711
  

  纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

  佟嵩，刘湘娜，鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 716
  

  GaAs表面的室温光致氮化

  徐前江，丁训民，侯晓远

  Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 721
  

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