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Volume 17, Issue 3, Mar 1996
Table of Content
CONTENTS
Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算
王仁智，郑永梅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 161-165
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n－Al_xGa_（1－x）As／n－GaAs的特性参数研究
沈顗华，朱文章，许淑恋
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 166-170
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Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应
柯三黄，黄美纯，王仁智
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 171-176
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氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究
谢二庆，巩金龙，徐灿，陈光华.
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 177-179
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有序Ga_（0．5）In_（0．5）P光致发光的研究
董建荣，刘祥林，陆大成，汪渡，王晓晖，王占国
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 180-185
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应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究
邹吕凡，王占国，范缇文
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 186-190
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p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析
陈朝，王健华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 191-195
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半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应
陈昌华，陈良惠，王启明
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 196-202
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异质结电荷注入晶体管
李桂荣，郑厚植，李月霞，郭纯英，李承芳，张鹏华，杨小平
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 203-206
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HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究
苏毅，张秀珠，陈良尧，包宗明，钱佑华，薛自，盛伯苓
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 207-211
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不同CO吸附类型对超细SnO_2气敏元件的作用
陆凡，陈涌英，彭少逸
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 212-216
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一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用
李斌桥，李志坚，石秉学
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 217-222
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SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究
郑立荣，陈逸清，张顺开，林成鲁，邹世昌
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 223-226
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GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究
牛智川，周增圻，林耀望，周帆，潘昆，张子莹，祝亚芹，王守武
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 227-230
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1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器
张济志，王圩，张静媛，汪孝杰，李力，朱洪亮，王志杰，周帆，马朝华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 231-235
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Low Threshold GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Lasers
徐遵图，张敬明，杨国文，徐俊英，肖建伟，郑婉华，陈良惠
Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 236-240
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