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Volume 17, Issue 6, Jun 1996

• CONTENTS

  ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源

  段树坤，陆大成

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 401
  

  纳米硅薄膜结构特性研究

  韩伟强，韩高荣，丁子上.

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 406
  

  Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

  赵家龙，靳春明，高瑛，刘学彦，窦恺，黄世华，虞家琪，梁家昌，高鸿楷.

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 410
  

  表面包覆硬脂酸的纳米SnO_2的XRD、ESR、FTIR光谱特征

  吴晓春，邹炳锁，张桂兰，汤国庆，余保龙，陈文驹，郭虎森，刘月亭

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 416
  

  四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析

  姜志雄，查良镇，王佑祥，陈春华，陈新

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 421
  

  用有效折射率／有限元法分析脊形光波导及其方向耦合器特性

  刘立杰，于荣金，洪佩智

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 428
  

  新型集成压力传感器的研究

  张维新，毛赣如，曲宏伟，姚素英，李建文

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 435
  

  薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究

  奚雪梅，王阳元

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 440
  

  双极型器件慢界面陷阱能量分布的1／f噪声分析方法

  庄奕琪，孙青，侯洵

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 446
  

  1．5μm全耗尽CMOS／SIMOX门阵列的研制

  张兴，魏丽琼，王阳元

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 452
  

  氧化物－电解溶液界面的表面基吸附模型研究

  牛蒙年，丁辛芳，童勤义

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 458
  

  低能量Ar~＋背面轰击对晶体管特性的影响

  李观启，曾绍鸿，黄美浅

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 464
  

  KOH溶液无掩膜腐蚀加工硅对称梁技术研究

  李昕欣，鲍敏杭，沈绍群

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 470
  

  GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

  陈溪滢，曹华，徐前江，王杰，朱炜，曹先安，张甫龙，丁训民，侯晓远，陆明

  Chin. J. Semicond.  1996, 17(6): 476
  

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