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Volume 18, Issue 1, Jan 1997

• CONTENTS

  在硅微尖上生长金刚石膜的研究

  元光, 金亿鑫, 金长春, 宋航, 张宝林, 宁永强, 蒋红, 周天明, 李树伟

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 1
  

  表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

  王小军, 刘伟, 胡雄伟, 庄婉如, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 4
  

  Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

  杨沁清, 钱毅, 董文甫, 王启明, 崔堑, 黄绮, 周钧铭

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 10
  

  应变CdTe/Cd_(0.633)Mn_(0.367)Te单量子阱结构的光致发光谱

  沈文忠, 沈学础, 常勇, 唐文国

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 16
  

  极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

  朱红卫, 史常忻, 陈益新, 李同宁

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 22
  

  新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

  李学宁, 李肇基, 吴世勇, 唐茂成

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 27
  

  功率MOSFET反向特性的分析模拟

  周宝霞, 陈治明, 王守觉

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 32
  

  薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

  张兴, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 36
  

  低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟

  肖志雄, 魏同立

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 42
  

  Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

  梁励芬, 董树忠, 顾志光, 李炳宗

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 50
  

  不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响

  蒋美萍, 李金华, 黄宜平, 林成鲁

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 54
  

  H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用

  赵颖, 熊绍珍, 孟志国, 代永平, 周祯华, 姚伦, 张建军, 孙钟林, 徐温元

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 58
  

  Preparation of Ampoules With B_2O_3 Coating on GaAs Surface for Space Experiments

  周伯骏, E Jensen, A Gallucci, R Abbaschian

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 61
  

  用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法

  闻瑞梅

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 64
  

  固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质

  陈开茅, 张亚雄, 秦国刚, 金泗轩, 吴克, 李传义, 顾镇南, 周锡煌

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 70
  

  GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化

  曹先安, 陈溪滢, 李喆深, 苏润洲, 丁训民, 侯晓远, 钱峰, 姚晓峨, 陈效建

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 76
  

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