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Volume 18, Issue 3, Mar 1997
Table of Content
CONTENTS
多孔硅中的电子激发态及其光谱研究
薛肪时
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 161-168
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SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究
江宁, 顾书林, 余是东, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 169-174
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利用量子阱DFB激光器产生重复频率为5GHz超短光脉冲
娄采云, 钟山, 伍剑, 高以智, 周炳琨
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 175--179
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离散小波变换的VLSI设计
周汀, 陈旭昀, 章情苓, 闵昊
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 180-183
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一种适用于模/数混合集成电路的新型低噪声电流控制逻辑
缪国清, 徐国庆, 唐璞山, 杨崇和
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 184-192
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砷化镓单电源电路研究
赵建龙, 夏冠群, 范恒, 施健
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 193-196
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CMOS单片集成恒带宽放大模块
杨谟华, 成勃, 于奇, 肖兵, 谢孟贤, 杨存宇, 江泽福, 严顺炳
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 197-202
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分级的时延驱动布局算法
孔天明, 洪先龙
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 203-211
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采用混合结构定子的压电超声微电机的固有频率特性分析
张健, 沈德新, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 212-217
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适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
徐秋霞, 海潮和, 陈焕章, 赵玉印, 李建勋
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 218-222
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硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响
张剑平, 季振国, 杨启基, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 223-227
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Study on Structural Stability of Hydrogenated Amorphous Germanium-Nitrogen Alloys
徐骏, 陈坤基, 冯端, 宫崎诚一, 广濑全孝
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 228-231
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LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性
王志杰, 陈博, 王圩, 张济志, 朱洪亮, 周帆, 金才政, 马朝华, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 232-236
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Effects of Non-abrupt Interface on Waveguide Properties of SiGe/Si MQW Photodetector
朱育清, 杨沁清, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 237-240
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