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Volume 18, Issue 3, Mar 1997

• CONTENTS

  多孔硅中的电子激发态及其光谱研究

  薛肪时

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 161
  

  SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究

  江宁, 顾书林, 余是东, 郑有炓

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 169
  

  利用量子阱DFB激光器产生重复频率为5GHz超短光脉冲

  娄采云, 钟山, 伍剑, 高以智, 周炳琨

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 175
  

  离散小波变换的VLSI设计

  周汀, 陈旭昀, 章情苓, 闵昊

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 180
  

  一种适用于模/数混合集成电路的新型低噪声电流控制逻辑

  缪国清, 徐国庆, 唐璞山, 杨崇和

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 184
  

  砷化镓单电源电路研究

  赵建龙, 夏冠群, 范恒, 施健

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 193
  

  CMOS单片集成恒带宽放大模块

  杨谟华, 成勃, 于奇, 肖兵, 谢孟贤, 杨存宇, 江泽福, 严顺炳

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 197
  

  分级的时延驱动布局算法

  孔天明, 洪先龙

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 203
  

  采用混合结构定子的压电超声微电机的固有频率特性分析

  张健, 沈德新, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 212
  

  适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

  徐秋霞, 海潮和, 陈焕章, 赵玉印, 李建勋

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 218
  

  硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响

  张剑平, 季振国, 杨启基, 李立本, 阙端麟

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 223
  

  Study on Structural Stability of Hydrogenated Amorphous Germanium-Nitrogen Alloys

  徐骏, 陈坤基, 冯端, 宫崎诚一, 广濑全孝

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 228
  

  LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

  王志杰, 陈博, 王圩, 张济志, 朱洪亮, 周帆, 金才政, 马朝华, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 232
  

  Effects of Non-abrupt Interface on Waveguide Properties of SiGe/Si MQW Photodetector

  朱育清, 杨沁清, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 237
  

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