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Volume 18, Issue 6, Jun 1997

• CONTENTS

  匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

  王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 候洵, 曾一平

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 401
  

  GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究

  刘兴权, 陆卫, 马朝晖, 陈效双, 乔怡敏, 万明芳, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 408
  

  LPMOVPE生长GaAs∶C薄膜

  吴惠桢, J Antoszkiewicz

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 412
  

  纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

  许怀哲, 朱美芳, 侯伯元, 陈光华, 马智训, 陈培毅

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 417
  

  高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

  熊飞克, 郭良, 马骁宇, 王树堂, 陈良惠

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 424
  

  光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应

  潘栋, 曾一平, 李晋闽, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 431
  

  P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性

  王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信, 罗广礼, 张镭, 郑康立, 周均铭

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 436
  

  适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片

  战长青, 罗台秦, 刘理天, 钱佩信

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 441
  

  汤姆孙效应对半导体制冷器性能的影响

  吴丽清, 陈金灿, 严子浚

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 448
  

  硅双极晶体管的低温h_(FE)

  林兆军, 薄仕群

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 454
  

  非工作期微电路的可靠性预计模型研究

  莫郁薇

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 460
  

  注F场氧介质总剂量辐照的研究

  张国强, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良, 赵元富, 胡浴红

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 466
  

  50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长

  潘栋, 曾一平, 吴巨, 王红梅, 李晋闽, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 470
  

  定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究

  王万录, 张振刚, 廖克俊, 吴彬, 张世斌, 廖梅勇

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 474
  

  Amplifier Modulation for Low-Chirp From a Monolithic Strained-Layer MQW InGaAsP/InP Distributed-Feedback-Laser/Tappered Amplifier

  王志杰, 曾汉奇, 姜子平, 王圩, 王启明

  Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 478
  

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