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Volume 18, Issue 6, Jun 1997
Table of Content
CONTENTS
匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析
王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 候洵, 曾一平
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 401--407
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GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究
刘兴权, 陆卫, 马朝晖, 陈效双, 乔怡敏, 万明芳, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 408-411
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LPMOVPE生长GaAs∶C薄膜
吴惠桢, J Antoszkiewicz
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 412-416
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纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理
许怀哲, 朱美芳, 侯伯元, 陈光华, 马智训, 陈培毅
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 417-423
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高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
熊飞克, 郭良, 马骁宇, 王树堂, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 424-430
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光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应
潘栋, 曾一平, 李晋闽, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 431-435
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P~+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性
王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信, 罗广礼, 张镭, 郑康立, 周均铭
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 436-440
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适合硅微机械系统(MEMS)的集成驱动结构──铝硅双金属膜片
战长青, 罗台秦, 刘理天, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 441-447
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汤姆孙效应对半导体制冷器性能的影响
吴丽清, 陈金灿, 严子浚
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 448-453
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硅双极晶体管的低温h_(FE)
林兆军, 薄仕群
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 454-459
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非工作期微电路的可靠性预计模型研究
莫郁薇
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 460-465
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注F场氧介质总剂量辐照的研究
张国强, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良, 赵元富, 胡浴红
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 466-469
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50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长
潘栋, 曾一平, 吴巨, 王红梅, 李晋闽, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 470-473
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定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究
王万录, 张振刚, 廖克俊, 吴彬, 张世斌, 廖梅勇
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 474-477
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Amplifier Modulation for Low-Chirp From a Monolithic Strained-Layer MQW InGaAsP/InP Distributed-Feedback-Laser/Tappered Amplifier
王志杰, 曾汉奇, 姜子平, 王圩, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(6): 478-480
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