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Volume 18, Issue 9, Sep 1997
Table of Content
CONTENTS
氢键分子链中扭结—反扭结孤子的非对称特性
成元发, 曹万强
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 641-647
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Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究
靳彩霞, 凌震, 王东红, 俞根才, 王杰, 黄大鸣, 侯晓远, 沈孝良, 姚文华
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 648-653
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低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应
周凯明, 李江, 李乙钢, 郭儒, 张光寅, 潘士宏, 李瑞钢, 朱战平, 梁基本
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 654-659
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压应变In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP单量子阱的变温光致发光研究
王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 660-666
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Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性
桂永胜, 郑国珍, 褚君浩, 郭少令, 汤定元, 蔡毅
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 667-673
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晶粒尺寸分布对纳米晶硅薄膜喇曼散射谱的影响
许怀哲, 朱美芳, 韩一琴, 侯伯元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 674-678
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分形晶化的Au/a-Ge双层膜的非线性体V-Ⅰ特征
张庶元, 陈志文, 谭舜, 田明亮, 张裕恒
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 679-681
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δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型
张兴宏, 杨玉芬, 王占国
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 682-687
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CMOS/SOD电路的高温工作特性
顾长志, 金曾孙, 孟强, 邹广田, 陆剑侠, 苏秀娣, 许仲德, 姚达, 王怀荣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 688-691
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VEAP:基于全局优化的有效VLSI布局算法
孔天明, 洪先龙, 乔长阁
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 692-700
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薄层电阻测试Mapping技术
孟庆浩, 孙新宇, 孙以材
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 701-705
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一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离
竺士场, 张苗, 林成鲁, 黄宜平, 吴东平, 李金华
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 706-709
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硅片高温翘曲与常温机械强度
谢书银, 石志仪, 陈忠祥, 张维连
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 710-713
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不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响
王志明, 吕振东, 封松林, 赵谦, 李树英, 吉秀江, 陈宗圭, 徐仲英, 郑厚植
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 714-717
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n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备
张玉明, 罗晋生, 张义门
Chin. J. Semicond.  1997, 18(9): 718-720
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