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Volume 19, Issue 10, Oct 1998

• CONTENTS

  信息高科技领域中的半导体光电子学

  王启明

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 721
  

  五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算

  徐自亮, 徐万劲, 李力, 杨澄清, 刘弘度

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 729
  

  半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析

  韩培德, 杨海峰, 张泽, 段树坤, 滕学公

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 736
  

  富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

  马书懿, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华, 吴正龙, 姚光庆, 孟祥提

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 740
  

  Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

  戴国瑞, 何秀丽, 王宗昌, 南金

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 745
  

  有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

  赵俊卿, 马瑾, 李淑英, 马洪磊

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 752
  

  深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型

  汪红梅, 奚雪梅, 张兴, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 756
  

  Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究

  郭宝增

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 765
  

  MOS器件鸟咀区非本征电容研究

  戚盛勇, 俞权, 彭军

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 773
  

  超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

  冯文修, 陈蒲生, 黄世平

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 777
  

  含F栅介质的击穿特性研究

  张国强, 郭旗, 余学锋, 任迪远, 严荣良

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 784
  

  GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

  武建青, 江德生, 孙宝权

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 788
  

  1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

  陈博, 王圩, 张静媛, 汪孝杰, 周帆, 朱洪亮, 边静, 马朝华

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 793
  

  准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

  张进书, 钱伟, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 王于辉, 孙同乐, 王庆海, 高颖, 梁春广, 冯明宪, 林其渊

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 798
  

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