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Volume 19, Issue 12, Dec 1998

• CONTENTS

  InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

  吴正云, 王小军, 黄启圣

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 881
  

  γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

  昝育德, 王俊, 韩秀峰, 王玉田, 王维民, 王占国, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 886
  

  GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

  王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 张剑平, 曾一平, 李晋闽, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 890
  

  GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

  刘学锋, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 896
  

  衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响

  张仕国, 张伟, 袁骏, 樊瑞新

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 903
  

  自动张量低能电子衍射对GaAs(-1-1-1)-(2×2)表面结构的研究

  邓丙成, 徐耕, 余招贤

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 908
  

  HgCdTe多载流子体系的定量迁移率谱分析

  桂永胜, 郑国珍, 张新昌, 褚君浩

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 913
  

  适用于MPEG2标准的二种VLSI模块设计

  叶波, 俞颖, 章倩苓

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 919
  

  单片集成低通波数字滤波器

  李天望, 王晓悦, 晁英伟, 洪志良

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 927
  

  凹陷沟道SOI器件的实验研究

  张兴, 王阳元

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 931
  

  多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

  黄宜平, 竺士炀, 包宗明, 何奕, 钟回周, 吴东平

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 936
  

  开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用

  裴素华, 薛成山, 赵善麒

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 940
  

  Application of Low and Ultra-Low Pressure Reverse Osmosis Membranes to Water Treatment

  Wen, Ruimei

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(12): 945
  

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