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Volume 19, Issue 5, May 1998

• CONTENTS

  硅发光研究

  夏建白

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 321
  

  氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

  牛智川, 周增圻, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 327
  

  离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

  雷红兵, 杨沁清, 王启明, 周必忠, 肖方方, 吴名枋

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 332
  

  Sb/Se薄膜的晶化特性研究

  鲍海飞, 叶水驰, 兰慕杰, 袁保红, 何代义, 周士仁, 王骐

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 337
  

  多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整

  吴荣汉, 陈志标, 陈弘达, 高文智, 赵军

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 341
  

  Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究

  张发培, 徐彭寿, 徐世红, 陆尔东, 余小江, 张新夷

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 348
  

  氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟

  张廷庆, 李建军, 刘家璐, 赵元富

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 355
  

  GTO关断特性的SPICE模拟

  兀革, 陈治明, 张昌利, 徐南屏

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 362
  

  nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究

  张炯, 吴正立, 李瑞伟

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 369
  

  双极运算放大器的辐射效应和退火特性

  陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学锋, 范隆, 张国强, 严荣良

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 374
  

  铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响

  张溪文, 杨德仁, 阙端麟

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 381
  

  含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱

  王文利, 姬扬, 郑厚植

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 385
  

  气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究

  刘学锋, 刘金平, 李建平, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 389
  

  超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析

  张进书, 金晓军, 钱佩信, 罗台秦

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 394
  

  Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

  李秉臣, 王玉田, 庄岩

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 397
  

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