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Volume 19, Issue 5, May 1998
Table of Content
CONTENTS
硅发光研究
夏建白
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 321-326
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氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响
牛智川, 周增圻, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 327-331
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离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究
雷红兵, 杨沁清, 王启明, 周必忠, 肖方方, 吴名枋
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 332-336
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Sb/Se薄膜的晶化特性研究
鲍海飞, 叶水驰, 兰慕杰, 袁保红, 何代义, 周士仁, 王骐
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 337-340
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多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整
吴荣汉, 陈志标, 陈弘达, 高文智, 赵军
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 341-347
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Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究
张发培, 徐彭寿, 徐世红, 陆尔东, 余小江, 张新夷
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 348-354
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氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟
张廷庆, 李建军, 刘家璐, 赵元富
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 355-361
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GTO关断特性的SPICE模拟
兀革, 陈治明, 张昌利, 徐南屏
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 362-368
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nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究
张炯, 吴正立, 李瑞伟
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 369-373
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双极运算放大器的辐射效应和退火特性
陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学锋, 范隆, 张国强, 严荣良
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 374-380
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铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响
张溪文, 杨德仁, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 381-384
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含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱
王文利, 姬扬, 郑厚植
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 385-388
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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
刘学锋, 刘金平, 李建平, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 389-393
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超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析
张进书, 金晓军, 钱佩信, 罗台秦
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 394-396
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Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究
李秉臣, 王玉田, 庄岩
Chin. J. Semicond.  1998, 19(5): 397-400
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