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Volume 19, Issue 6, Jun 1998

• CONTENTS

  InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质

  陈枫, 封松林, 杨锡震, 王志明, 赵谦, 温亮生

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 401
  

  硅的位错核心结构无悬挂键

  昝育德

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 406
  

  InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

  王红梅, 曾一平, 周宏伟, 董建荣, 潘栋, 潘量, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 413
  

  In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

  王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 417
  

  SiC纳米粉的光致发光研究

  杨修春, 韩高荣, 张孝彬, 丁子上

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 423
  

  激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

  戴国瑞, 姜喜兰, 南金, 张玉书

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 427
  

  提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法

  张友渝, 江泽流, 宗婉华, 王文喜, 张大立, 王民娟

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 431
  

  Fabrication and Characterization of High-Voltage Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switch

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 437
  

  MCT最大可关断电流的解析分析

  周宝霞, 陈治明

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 442
  

  掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

  陈张海, 陈忠辉, 刘普霖, 石晓红, 史国良, 胡灿明, 沈学础

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 447
  

  VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究

  李志国, 郭伟玲, 朱红, 吉元, 程尧海, 孙英华, 张万荣

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 452
  

  一种简便有效的多孔硅后处理新方法

  熊祖洪, 刘小兵, 廖良生, 袁帅, 何钧, 周翔, 曹先安, 丁训民, 侯晓远

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 458
  

  8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

  张立功, 刘学彦, 蒋大鹏, 吕安德, 元金山

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 463
  

  纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究

  王培林, 盛文斌, 杨晶琦, 徐达鸣

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 468
  

  退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响

  马瑾, 计峰, 李淑英, 马洪磊

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 472
  

  不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响

  司俊杰, 杨沁清, 王红杰, 雷红兵, 滕达, 王启明, 刘学锋, 李建民

  Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 477
  

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