Journal of Semiconductors

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Volume 20, Issue 11, Nov 1999

CONTENTS

温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

李国华, 朱作明, 刘南竹, 韩和相, 汪兆平, 王杰, 王迅

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 945

LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究

凤雷, 郑韬, 李道火

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 952

质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

黄万霞, 林理彬, 曾一平, 潘量

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 957

垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性

赵一广, 张宇生, 黄显玲

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 963

电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器

王浙辉, 林理彬, 卢铁城

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 971

VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

何进, 王新, 陈星弼

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 977

CdTe单晶的红外消光特性

杨柏梁, 石川幸雄, 一色实

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 983

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

张兴宏, 程知群, 夏冠群, 徐元森, 杨玉芬, 王占国

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 989

GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型

程知群, 孙晓玮, 夏冠群

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 994

SI-GaAs材料的电学补偿

赖占平, 齐德格, 高瑞良, 杜庚娜, 刘晏凤, 刘建宁

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 999

用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化

廖友贵, 金鹏, 李乙钢, 张存洲, 潘士宏, 梁基本

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1004

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

吴正龙, 姚振钰, 刘志凯, 张建辉, 秦复光, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1010

硅锥阴极中电子输运的数值模拟

皇甫鲁江, 朱长纯

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1015

掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能

郑嘹赢, 徐明霞, 徐廷献

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1022

Quasi-Thermodynamic

陆大成, 段树坤

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1026

Numerical Analysis of Steady Current and Temperature Distributions and Characteristics of Transverse Mode in VCSEL

Liu Shi'an, Lin Shiming, Kang Xuejun, Cheng Peng, Lu Jianzu， Wang Qiming

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1034

SiC肖特基势垒二极管的研制

张玉明, 张义门, 罗晋生

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1040

铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀

刘秦, 林殷茵, 吴小清, 张良莹, 姚熹

Chin. J. Semicond. 1999, 20(11): 1044