Journal of Semiconductors

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Volume 20, Issue 5, May 1999

CONTENTS

图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

司俊杰, 杨沁清, 高俊华, 滕达, 王启明, 郭丽伟, 周均铭

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 353

半导体器件热特性的电学法测量与分析

冯士维, 谢雪松, 吕长志, 张小玲, 何焱, 沈光地

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 358

二维聚乙炔中的sp~2杂化轨道对电子跳跃能量的影响

童国平

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 365

N型GaN的持续光电导

汪连山, 刘祥林, 岳国珍, 王晓晖, 汪度, 陆大成, 王占国

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 371

分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究

于梅芳, 杨建荣, 王善力, 陈新强, 乔怡敏, 巫艳, 何力, 韩培德

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 378

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响

高文钰, 刘忠立, 和致经, 于芳, 梁桂荣, 李国花

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 383

平面掺杂异质结场效应管的二维电子气浓度和材料结构尺寸之间的关系

李效白

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 389

TiO_2薄膜的制备及结构研究

孟宪权, 王君, 何磊, 范湘军

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 395

基于协同工作方式的一种蚁群布线系统

庄昌文, 范明钰, 李春辉, 虞厥邦

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 400

Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Wang Xiaoliang, Sun Dianzhao, Zhang Jianping, Kong Meiying, Zeng Yiping, Li Jinmin，Lin Lanying

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 407

Monolithic Integration of MQW DFB Laser and EA Modulator in 1.55μm Wavelength

Yan Xuejing, Xu Guoyang, Zhu Hongliang，Zhou Fan, Wang Xiaojie), Zhang Jingyuan，Tian Huiliang, Ma Chaohua, Shu Huiyun，Bai Y

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 412

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

罗毅, 孙长征, 文国鹏, 李同宁, 杨新民, 吴又生, 王任凡, 王彩玲, 黄涛, 金锦炎

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 416

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

俞建华, 孙承休, 高中林, 魏同立, 王启明

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 421

四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究

程知群, 孙晓玮, 束伟民, 张兴宏, 顾伟东, 夏冠群

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 425

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

俞容文, 郑健生, 颜炳章

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 429

利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

刘忠立, 和致经, 于芳, 张永刚, 郁元桓

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 433

含N薄栅介质的电离辐照及退火特性

张国强, 陆妩, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良

Chin. J. Semicond. 1999, 20(5): 437